cmos技术的英文

• cmos technology

• "技术"英文翻译    technology; skill; technique ...
• "cmos" 英文翻译 :    互补金属氧化物半导体存储器; 互补金属氧化物半导体工艺; 互补式金属-氧化层-半导体; 互补型金属氧化半导体; 逻辑; 相补型金属酸化物半导体; 帧校准器; 中的设置不一致
• "cmos cmos" 英文翻译 :    结构
• "bipolar cmos" 英文翻译 :    双极型互补金属氧化物半导体, 双极型cmos
• "ccd cmos" 英文翻译 :    功能的一体机
• "cmos applications" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体应用
• "cmos chicmos" 英文翻译 :    芯片
• "cmos chip" 英文翻译 :    cmos芯片
• "cmos circuits" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体电路
• "cmos contamination" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体沾污
• "cmos converters" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体倒换器
• "cmos device" 英文翻译 :    互补金属氧化物半导体元件
• "cmos devices" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体装置
• "cmos gate" 英文翻译 :    互补金氧半导体门电路
• "cmos inverter" 英文翻译 :    cmos倒相器
• "cmos latchucmos" 英文翻译 :    结构的闭锁
• "cmos memory" 英文翻译 :    互补金属氧化物半导体存储器; 互补金氧半导体存储器
• "cmos microprocessor" 英文翻译 :    互补金氧微处理器
• "cmos on sapphire" 英文翻译 :    蓝宝石上互补金属氧化物半导体
• "cmos power" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体电力
• "cmos process" 英文翻译 :    cmos工艺
• "cmos ram" 英文翻译 :    互补金属氧化物半导体随机存储器
• "cmos structure" 英文翻译 :    互补金氧半导体结构
• "cmos technology" 英文翻译 :    cmos技术; 互补金属氧化半导体技术
• "cmos transistor" 英文翻译 :    互补

• Will take your understanding of cmos to the next level
  可以让您理解下一代cmos技术。
• Power single - phase 220v , adoptsa advanved cmos technology , having memorzing funtion at power - off momnet
  电源单相220v ，采用先进cmos技术，在停电瞬间具有记忆功能。
• In addition , the bicmos process of sige device is compatible with cmos process of si device . 2
  在工艺上, sige器件可以采用bicmos技术,很好地实现了与cmos技术的兼容。
• At the moment , most of rf chips and ultra high - speed circuits are based on technologies such as gaas , bipolar si , bicmos and so on
  标准cmos工艺作为数模混合集成电路的主流工艺,随着cmos技术的发展,具有广泛的市场前景。
• Products of comlent nowadays include rf transceivers in cmos technology for mobile phones and portable digital mobile devices , etc
  公司的初始产品包括基于cmos技术的驱动各类移动终端和便携个人数码平台的射频集成电路收发器芯片。
• More than 15 years in technology development , above 10 years working experiences in semiconductor cmos technology , and better with more than 2 years experience as r & d vp
  15年技术开发经验， 10年以上cmos技术开发经验， 2年以上研发副总领导经验。
• With the development toward sub - micron and deep sub - micron technologies , cmos will have extremely wide market prospects , because its low cost and easy of implementation . hence all the simulation of this paper uses the csmc 0 . 6 m standard cmos process
  标准cmos工艺作为数模混合集成电路的主流工艺,随着cmos技术的发展,具有广泛的市场前景,本文就是在在csmc0 . 6 m标准cmos工艺库下进行仿真的。
• According to this , the study on radio frequency ( rf ) and communications integrated circuit ( ic ) becomes very popular . at the same time , under the drastic market competition , telecommunication system requires the rfic with low cost , low power consuming and multi - function . the development of rfic techniques will follow the same way as the digital ic does , and cmos technology will be implemented for rfic finally
  与此同时,在市场竞争日趋激烈的推动下,通讯系统对射频集成电路( radiofrequencyintegratedcircuits )不断提出低成本、低功耗、多功能的要求,射频集成电路的技术优化会沿着和数字ic一样的发展道路,最终选择cmos技术来实现rfic ;目前,各种无线通信标准并存,但市场份额最大的还是gsm系统。
• In real - time applications , compiler - directed dynamic voltage scaling could reduce energy consumption efficiently , where compiler put voltage scaling points in the proper places , and the supply voltage and clock frequency were adjusted to the relationship between the reduced time and the reduced workload
  Cmos技术是现代计算机系统的基础， cmos的尺度缩放mos scaling不断推动着计算机性能的提高。 cmos技术的发展面临着越来越严峻的问题，系统功耗问题就是亟待解决的问题之一。
• According to the thickness of the soi film , high voltage ic based on soi material ( soi - hvic ) can be divided into thin - film and thick - film . for thin - film soi - hvic , linear drift region doping profile is adopted to satisfy a certain breakdown - voltage , but this process is too complex and its self - heating effect is obvious ; for thick - film soi - hvic , it can take advantage of cmos technology on silicon to obtain the high voltage
  Soi高压集成电路根据顶层硅厚度可分为厚膜和薄膜两大类。为了满足一定的击穿电压,薄膜soi高压电路一般采用漂移区线性掺杂技术,但其工艺复杂,且自热效应严重;而厚膜soi高压集成电路可以通过移植体硅cmos技术来实现高压,但是由于其硅膜较厚,介质隔离成为厚膜soi高压集成电路的关键技术。