薄膜结构造句

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半导体器件.集成电路.第23 - 5部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.合格鉴定规程
半导体器件.集成电路.第23 - 5部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.鉴定批准
半导体器件.集成电路.混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.生产商自审清单和报告
退火处理后的薄膜结构分析表明，退火温度低于600时，短时间退火不能明显改善结晶状况，但结晶趋势明显。
半导体器件.集成电路.混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.内部目视检查和特殊试验
半导体器件.集成电路.第23 - 2部分:混合集成电路和薄膜结构.生产线认证.内部审查和特殊试验
很好的在已有的有限元通用程序ansys上实现了薄膜结构的找形，解决了膜结构设计中的一个关键问题。
本文采用静电自组装技术制备了cds纳米颗粒有机物复合膜、 au纳米颗粒复合膜，研究了薄膜结构及其性能。
在低微波功率下，本论文着重研究了h2 sih4稀释比、衬底温度和衬底位置对a - si ： h薄膜结构的影响。
薄膜结构在找形和载荷分析时都要发生较大位移，因此在分析计算时要考虑几何非线性，这是它的一个主要特点。
用薄膜结构造句挺难的，這是一个万能造句的方法
要消毒的医疗器材用包装材料和系统.第5部分:热封口和自封口小袋纸卷和塑料薄膜结构.要求和试验方法
在不同的衬底位置，我们进行了h2 sih4稀释比影响a - si ： h薄膜结构的实验，发现系统最佳h2 sih4稀释比依赖于衬底位置的变化而变化。
本文还对薄膜结构的两种计算模型(分离模型和整体模型)进行了比较，研究了支座刚度的变化对薄膜结构的找形和载荷分析的影响。
Xrd分析结果表明，所制备的sio _ 2薄膜结构为非晶态；在800以下退火，薄膜的结构没有发生明显的改变，仍为非晶态。
王凤平，刘还平，吴平，潘礼庆，邱宏，田跃，罗胜：基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响，发光学报， 24 （ 4 ）（ 2003 ） 435 - 437 。
此外，通过比较热变色和亲合变色过程中拉曼光谱和红外光谱的变化，得出结论：热变色和亲合变色过程中聚双炔薄膜结构的变化是相同的。
文摘:介绍了类金刚石薄膜的结构特征，并详细讨论了采用物理化学气相沉积方法制备类金刚石薄膜过程中各相关参数之间的关系以及对薄膜结构和性质的影响
讨论了不同er离子注入量对硅基底上沉积的cdte薄膜结构和光电性能的影响,并具体给出了掺杂cdte多晶薄膜的电导、载流子浓度及迁移率等参数值。
2 .研究以磁控反应溅射法制备单相成分的fe _ 3o _ 4薄膜时,溅射功率、晶化温度对薄膜结构的影响,得到磁控反应溅射制备半金属fe _ 3o _ 4的最优条件。
通常采用的是光学方法测量，但纯粹的光学测量方法很难对分布于器件内部、轮廓形貌没有凸现于表面或完全包络于器件外部的薄膜结构的厚度进行测量。