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面发射激光器造句

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  • 垂直腔面发射激光器一般是以高反射率的多层介质膜作为平面腔镜,激光垂直于腔镜表面出射;微盘激光器则是利用弯曲介面的全反射形成腔限制,以回音壁模式作为主要谐振模式。
  • 高斯模型和用户自定义的横向偏移高斯模型适用于发光二极管准分子激光器和垂直腔面发射激光器;Hermite和Laguerre高斯模型被用于多模激光器;对于平面光源来说可以定义任意功率谱的平面光源。
  • 本文研究的光学矢量-矩阵乘法器主要是由垂直腔面发射激光器( vcsel )阵列、球面透镜和柱面透镜组、多量子阱空间光调制器( mqwslm )及ccd阵列构成。作为小尺寸的集成光学器件,必须要考虑衍射的作用。
  • 实际上最近的实验证实:使用850nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作光源,在1Gbit/s速率下,50μm芯径标准多模光纤可无误码传输1750米(线路中含5对连接器),50μm芯径新一代多模光纤可无误码传输2000米(线路中含2对连接器)。
  • 他主持并出色完成中科院重大项目,国家攻关、863、自然科学基金等多项国家任务,在980nm应变量子阱大功率激光器,高亮度AlGaInP LED、高功率量子线激光器、垂直腔面发射激光器和GaN基蓝光激光器等项目都取得出色成果。
  • 例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈(DFB)和动态单模LD、窄线宽可调谐DFB-LD、用于光盘等信息处理技术领域的可见光波长(如波长为670nm、650nm、630nm的红光到蓝绿光)LD、量子阱面发射激光器以及超短脉冲LD等都得到实质性发展。
  • 激光器阈值电流不过就是能让激光器起振的电流,谐振腔长短的不同可以使得阈值电流有所不同,半导体激光器中,像边发射激光器腔长较长,阈值电流相对较大,而垂直腔面发射激光器腔长极短,阈值电流就非常低了。
  • 尤其是垂直腔表面发射激光器,除了具有单纵模输出、低阈值电流起振等优异特性之外,还具有在生产工艺上大规模化和阵列化,这样,半导体激光器也能输出大功率激光,而且进一步降低半导体激光器的生产成本,利于激光器的普及应用。
  • 另外,垂直腔面发射激光器还具有两个不稳定的互相垂直的偏振横模输出,即x模和y模,目前对偏振开关和偏振双稳特性的研究也进入到了一个新阶段,人们可以通过改变光反馈、光电反馈、光注入、注入电流等等因素实现对偏振态的控制,在光开关和光逻辑器件领域获得新的进展。
  • 反射式)腔,激光输出都是在水平方向,统称为水平腔结构.它们都是沿着衬底片的平行方向出光的.而面发射激光器却是在芯片上下表面镀上反射膜构成了垂直方向的F一p腔,光输出沿着垂直于衬底片的方向发出,垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)是一种新型的量子阱激光器,它的激射阔值电流低,输出光的方向性好,藕合效率高,通过阵列化分布能得到相当强的光功率输出,垂直腔面发射激光器已实现了工作温度最高达71`C。
  • 面发射激光器造句挺难的,這是一个万能造句的方法
  • ,从事铁电材料BaTiO_3薄膜分子束外延生长的研究;2004年在吉林大学电子科学与工程学院获博士学位,博士期间主要从事光通信用短脉冲源的研制及其在波长变换中的应用研究,期间参加了国家重点基础研究发展规划项目(973):支撑高速大容量信息网络系统的光子集成基础研究项目,研究课题:OXC关键集成器件及增益非线性与噪声动力学,负责系统光源的研制;2004年在中科院长春光学精密仪器与物理所研究所从事博士后工作,主要从事大功率半导体激光医疗仪器和高速大功率面发射激光器的研制工作。
  • 体全息存储系统的小型化和集成化是体全息存储所追求的又一个重要目标,许多研究机构都致力于小型化的研究,例如,加州理工学院研制的可擦写全息存储系统HRAM(HolographicRandomAccess物写入光组贝器Memory),该系统主要包括一个同时实现空间光调制功能和信息检测功能的光电集成电路集成的DHR(DynamicHolographicRefresher)芯片,一块铌酸锂晶体,两个分束镜,两个反射镜和垂直腔表面发射激光器阵列。
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