デカップリング中文是什么意思

• 必要なデカップリング容量は消費電力や電圧変動の許容値によって異なるが，文献１５）では，テクノロジ？ノードが１８０ｎｍから７０ｎｍにおいて，必要なデカップリング容量はｖと報告されている．
  必需的去耦电容根据功率损耗或电压波动的容许值而有所不同，而文献１５）指出，技术结点在１８０ｎｍ至７０ｎｍ时的必须的去耦电容为ｖ。
• 必要なデカップリング容量は消費電力や電圧変動の許容値によって異なるが，文献１５）では，テクノロジ？ノードが１８０ｎｍから７０ｎｍにおいて，必要なデカップリング容量はｖと報告されている．
  必需的去耦电容根据功率损耗或电压波动的容许值而有所不同，而文献１５）指出，技术结点在１８０ｎｍ至７０ｎｍ时的必须的去耦电容为ｖ。
• 従来方式のデカップリング容量の比率は，文献１３）によると，おおよそウェル容量が３０％から４０％，セル容量が３０％から４０％であり，電源線とグラウンド線の間の容量はほとんどない．
  原有方式的去耦电容的比率，根据文献１３）大概是ウェル电容占到３０％到４０％，单元电容占到３０％到４０％，基本没有电源线和接地线之间的电容。
• 電源線，グラウンド線による従来のシールディング効果に加えて，新たに配線によるデカップリング容量を実現することが可能となり，さらに稠密な配線密度を保証することで，配線の製造ばらつきを削減する．
  除了原有的基于电源线，接地线的屏蔽效果外，还使基于导线的去耦电容成为可能，并可通过保证稠密的导线密度，减少导线生产上的零散程度。
• 本方式では，デカップリング容量の生成，電源ノイズの改善，クロストーク？ノイズの改善，ＤＦＭと抽出精度の改善のメリットと配線密度（または面積）の増加のペナルティは，トレード？オフの関係にある．
  在本方法中，去耦电量的生成，电源干扰的改善，串扰的改善，ＤＦＭ和提取精密度的改善的好处，与导线密度（或是面积）的增加没有直接的联系。
• しかし近年，動作周波数の増大にともない，ＲＣ応答としての動的解析が必要となり，ワイヤ？サイジングのみならず，デカップリング容量のノイズ源への近傍挿入がハイパフォーマンスＳｏＣの設計では必須になってきている．
  但是近年来，随着工椎率的增大，作为ＲＣ应答的动态分析成为必要，而在高性能的ＳｏＣ的设计中，不仅仅是电线粒度分析，去耦电容对干扰源的近旁插入也是必要的。