施主能级造句
例句与造句
- 可见，在这些半导体中，施主和受主杂质的能级都很浅，即杂质能级很靠近导带底（施主能级）或者价带顶（受主能级）。
- 因为受主态表示悬挂键上有两个电子占据的情况，两个电子间的库仑排斥作用，使得受主能级位置高于施主能级，称为正相关能。
- Ⅰ族元素：作为替代式杂质，一般是产生受主能级，多为深能级，也有浅能级；间隙杂质Li产生较浅的受主能级；间隙杂质Cu将产生施主能级。
- 这些悬挂键可提供电子或吸收电子，相当于半导体中的施主杂质和受主杂质（见半导体），从而形成与施主能级或受主能级相当的表面能级。
- 当缺陷态上占据两个电子时，会引起点阵的畸变，若由于畸变降低的能量超过电子间库仑排斥作用能，则表现出有负的相关能，这就意味着受主能级位于施主能级之下。
- 用施主能级造句挺难的，这是一个万能造句的方法
- ③Ⅵ族元素：在Ge中，S、Se、Te都是替代式杂质，各形成2个施主能级；在Si中，S是替代式杂质（形成3个施主能级），Te是替代式杂质（形成2个施主能级），Se和O的能级情况尚不清楚。
- ②Ⅱ族元素：在Ge中，Zn、Cd、Hg、Be都是替代式杂质（各形成2个受主能级）；在Si中，Zn、Cd、Mg都是替代式杂质（各形成2个受主能级），Be也是替代式杂质（形成一个受主能级），Hg还形成2个施主能级。
- ④过渡金属元素：在Ge中，Mn、Fe、Co、Ni都是替代式杂质，各形成2个受主能级，Co还形成一个施主能级；在Si中，Mn、Fe都是替代式杂质（形成施主能级），Co、Ni也都是替代式杂质（各形成2个受主能级）。
- 80年代初，随着人们对半导体材料中缺陷研究的不断深入和砷化镓器件的迅速发展，国际上不少理论学家和实验学家的注意力纷纷集中到砷化镓材料中所谓“EL2”的深施主能级的缺陷本性上。
- 80年代初，随着人们对半导体材料中缺陷研究的不断深入和砷化镓器件的迅速发展，国际上不少理论学家和实验学家的注意力纷纷集中到砷化镓材料中所谓“ＥＬ2”的深施主能级的缺陷本性上。
- ，并导出一个电子，叫施主型杂质，这个多余电子处于半束缚状态，只须填加很少能量，就能跃迁到导带中，它的能量状态是在禁带上部靠近导带下部的一个附加能级上，叫施主能级，叫n型半导体。
- 从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同?缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。
- 施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为N型半导体。
- 施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为n型半导体。
- 例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。
