ドレイン電流中文什么意思

漏极电流

• ドレイン:    漏极（电）；排水（沟、管）；下水道； ...
• 電流:    でんりゅう 0 電 流 【名】 电流
• ドレイン電圧:    漏极电压

例句与用法

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1. 図３は，ゲート電圧をパタメータとしたドレイン電流のドレイン電圧依存性である。
   图３表示的是以门电压为参数，漏电流与漏电压的依存性。
2. 逆に立ち下がり時は，容量の放電が行われ，　ＮＭＯＳのドレイン電流がこれに関与する．
   反过来，在下降时，进行容量的放电，　ＮＭＯＳ的漏极电流与此有关。
3. 画素出力信号である画素内の増幅用トランジスタのドレイン電流はチップ外付けの電流電圧変換アンプにより読み出しを行っている。
   作为像素输出信号的像素内放大用晶体管的漏极电流是由芯片外置的电流电压转换放大器进行读取。
4. この方式は，デバイス製造者が所望のドレイン電流値，またはしきい値電圧を得ることが出来る反面，エッチングによって，誤差やウエハ面内のばらつきを生じる。
   该方式能够得到器件制造者所希望的漏电流值，以及临界值电压，但也会因为蚀刻出现误差及晶元面内的波动。
5. 図４から分かるように，立ち上り時は容量に対して充電が必要であり，通常のＣＭＯＳ　ＬＳＩの動作では，　ＰＭＯＳのドレイン電流により電荷が供給される．
   从图４可以看出，上升时相对于容量而言需要进行充电，在通常的ＣＭＯＳ　ＬＳＩ动作中，通过ＰＭＯＳ的漏极电流供给电量。
6. トランジスタのしきい値電圧は，ドレイン電圧ＶＤ　＝　１．８Ｖのときにドレイン電流＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠とするゲート電圧を，回路シミュレーションによって算出した結果を示す．
   半导体管的临界值电压表示的是，在导管电压ＶＤ　＝　１．８Ｖ时，通过电路仿真计算出导管电流为＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠的栅压的结果。
7. 有機導体／半導体／有機導体構造を有するために半導体層への電荷注入が阻害される要因が少ないと考えられ，極めて細い線状にもかかわらず有機デバイスとしては大きなドレイン電流が流れるのは，このナノトランジスタが有する構造上の利点である。
   具有有机导体／半导体／有机导体结构，因此影响半导体层电荷注入的原因少，即使是非常细的线状，作为有机装置也可以有较大的漏电流，这是纳米晶体管的结构上的优点。