gunn二极管造句

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负微分电阻效应是体效应器件（Gunn二极管）工作的物理基础。
第5章至第11章是关于各种电子器件和集成电路的工作原理与制造工艺方面的内容，分别介绍了：p?n结和金属．半导体结(包括异质结)；场效应晶体管(JFET、MESFET、MOSFET)；双极结型晶体管(BJT和HBT)；光电子器件(太阳电池、光探测器、LED和激光器)；负电导微波器件(隧道二极管、IMPATI和Gunn二极管)；功率半导体器件(SCR和IGBT)等，其中第5章和第9章用了较大篇幅对现代半导体器件和集成电路的制造工艺作了介绍。
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