ウェハ造句

• そして，ウェハーをＣｒマスクに当てる事で，光軸に対してウェハーを垂直にする。
  因此，通过使晶圆与Ｃｒ掩膜接触，可以使晶圆与光轴垂直。
• そして，ウェハーをＣｒマスクに当てる事で，光軸に対してウェハーを垂直にする。
  因此，通过使晶圆与Ｃｒ掩膜接触，可以使晶圆与光轴垂直。
• 但し，オンウェハでの測定のため，高周波プローブや入出力に長いケーブルが必要である。
  了进行晶元测量，需要高频探针和输入输出长的电缆。
• 基板は通常のウェハホルダの替わりに，傾斜回転ステージに取り付けた。
  底板取代通常的晶圆承座安装在倾斜旋转台上。
• 一般的なウェハーチャックの裏側は球面すり合わせ構造になっている。
  普通晶圆吸盘的内侧为球面磨合结构。
• レジストの側壁が垂直に形成できた理由は，光軸に対してウェハーチャックが垂直な事である。
  光刻胶的侧壁能够垂直地形成的理由在于晶圆吸盘与光轴垂直。
• なお，ＤＥＨＰのほかに，シリコンウェハーに吸着しやすい物質とされるＤＢＰ，ＤＥＨＡが検出された。
  另外，除ＤＥＨＰ之外，也检测到容易吸附到硅胶管上物质ＤＢＰ、ＤＥＨＡ。
• まず均一なレジスト膜を平面ウェハにスピンコートして用意し，位相シフトマスクから離して露光した。
  首先，准备旋转涂布了均匀光刻胶膜的平面晶圆，使其离开相移掩膜，进行了曝光。
• そのため，ウェハ内の充填歩留り（孔総数に対する良好な孔数の割合）は，５０％程度と大変低かった。
  因此，晶圆内的填充成品率（良好孔的数量相对于孔总数的比例）非常低，为５０％左右。
• 最後に各電極を分離するためにガラス?１の上面を浅くダイシングした後に，ウェハはチップに分割される。
  最后，以分离各电极为目的，在玻璃－１的上表面进行浅划片后，晶圆被分割为芯片。
• 上下２点支持の構造であるため，スイング式やウェハー式に比べ，高い耐久性と安全性?静音性に優れる。
  由于采用上下两点支撑的结构，与转动式或薄片式相比使用寿命长，安全可靠，噪音非常小。
• 板厚２００μｍのシリコンウェハの場合，エッチング時間は９５分であり，残留シリコン厚が２０μｍ以下になるまで行った。
  对于板厚２００μｍ的硅晶圆，蚀刻时间为９５分钟，在残余硅厚度达到２０μｍ以下之前进行。
• まず両面酸化膜の形成された，表面が（１００）面のシリコンウェハ両面にフォトレジストをスピンコーターを用いて塗布する。
  首先，在两面形成了氧化膜，表面为（１００）面的硅晶圆的两面使用旋转涂布机涂布光刻胶。
• しかし，この方式は図７（ｂ）に示すようにウェハーの一部分のみがマスクに当たり，ウェハーが光軸に対してわずかにずれやすい。
  但是，如图７（ｂ）所示，使用该方式时，晶圆只有一部分接触掩膜，晶圆相对于光轴容易偏移。
• しかし，この方式は図７（ｂ）に示すようにウェハーの一部分のみがマスクに当たり，ウェハーが光軸に対してわずかにずれやすい。
  但是，如图７（ｂ）所示，使用该方式时，晶圆只有一部分接触掩膜，晶圆相对于光轴容易偏移。
• 土産物屋がバカンス客向けに５?１０ＤＨ（約６０?１２０円）程度で，ピーナッツやウェハースをサルの餌として売っていた。
  土特产屋以５～１０ＤＨ（约６０～１２０日元）左右向观光客出售花生以及脆饼，作为猴子的饲料。
• 抵抗率が０．３３１?０．４６０Ωｃｍの低抵抗率Ｓｉウェハーを用いて，Ｓｉ上に電着レジストを直接電着することを試みた。
  使用电阻率为０．３３１～０．４６０Ωｃｍ的低电阻率Ｓｉ晶圆，在Ｓｉ上尝试了直接电沉积电沉积光刻胶。
• ＳＯＩウェハは錘，梁，シリコン支柱，上部ギャップを形成するために，２０ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液によって両面からエッチングされる。
  为了用ＳＯＩ晶圆形成重锤、梁、硅支柱、上部间隙等结构，研究人员用２０ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液从两面对其进行了刻蚀。
• 充填後の基板を光学顕微鏡により観察した結果，ウェハ面内における充填歩留りは，作製した全てのサンプルで９９％以上と大きく向上した。
  通过光学显微镜观察填充后的基板的结果，晶圆面内的填充成品率在制作的全部样品中达到了９９％以上，有大幅提高。
• 図７（ａ）にＣＡＮＯＮ　ＰＬＡ５０１のウェハーチャックと光軸の関係，図７（ｂ）に一般的なウェハーチャックと光軸の関係を示す。
  图７（ａ）显示的是ＣＡＮＯＮ　ＰＬＡ５０１的晶圆吸盘与光轴的关系，图７（ｂ）显示的是普通晶圆吸盘与光轴的关系。