单晶生长造句

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光学悬浮单晶生长技术制备的nb刁7st （ t
重点解决了200mm低氧碳太阳能级czsi单晶生长中结晶潜热的散发问题。
本文在国产tdr - 70炉的基础上，对原设备进行了局部改造，设计了适合200mmczsi单晶生长的新型16 ”复合式热系统。
两种晶体西北工业大学博士学位论文生长实验证明，输运剂的引入可以降低znse晶体的气相生长温度，避免了znse的气一固一致升华范围过窄对znse单晶生长的限制，从而可以简化工艺，降低成本。
运用电弧熔炼、粉末冶金热压烧结、粉末冶金冷等静压和光学悬浮单晶生长技术等方法制备了nb - si系金属间化合物，并对这四种方法制备的nb - si系金属间化合物进行了比较。
文摘:从晶体结构上分析了锗酸盐的单晶生长和作为激光晶体基质的特点，并介绍了锗酸盐作为可调谐激光晶体，自倍频晶体，高转换效率和低泵浦阈值的激光晶体的研究及进展。
结果表明，电弧熔炼方法制备得到的nb - si系金属间化合物比较致密，且制备工艺简单，经济实用，是一种合适的nb - si系金属间化合物制备方法；由于nb 、 si元素粉末的成型性很差，用粉末冶金方法(热压烧结和冷等静压)制备的nb - si系金属间化合物表面粗糙、致密度低，且成本较高，不宜用于制备nb - si系金属间化合物；首次用光学悬浮单晶生长技术制备的nb - si系金属间化合物复合材料致密度很高，尽管成本稍高，但由于性能最佳，也是一种合适的nb - si系金属间化合物制备方法。
研究表明，采用电弧熔炼和单晶生长技术制备的nb - si系金属间化合物的显微组织主要由nb + nb _ 3si组成，而由于nb _ 3si相在高温下是不稳定的，为了得到稳定的nb + nb _ 5si _ 3双相组织，必须对材料进行热处理。
本文工作重点是探索制备工艺简单、成本低、操作简便的znse单晶生长新方法，获得化学计量比接近1 ： 1的、具高结晶质量的znse体单晶，并在此基础上对生长的znse单晶的结构特点、光学和电学特性进行进一步研究。
随着单晶生长技术的发展，通过退火，由于si - gaas中理论化学配比偏离， el2浓度可被控制在1 1 . 5 10 ~ ( 16 ) cm ~ ( - 3 ) ，且分布均匀。因此碳的分布就成为决定si - gaas材料电阻率均匀性的一个关键因素。所以，研究碳微区均匀性就显得非常重要。
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在实验事实的基础上，我们认为在重掺硼硅单晶生长过程中， bmon ( m , n 1 )复合体或掺b引起的点缺陷能在晶体冷却过程中的较高温度阶段形成，且在随后的退火过程中能稳定存在，作为氧沉淀形核的核心，从而促进了氧沉淀，减小了大直径硅单晶中void缺陷的尺寸，增加其密度。