基区电荷的日文

• ベースでんか
  ベース電荷

• 基区电荷法:    ベースでんかほうベース電荷法
• 基区电荷存储量:    ベースちくせきでんかりょうベース蓄積電荷量
• 内基区电阻:    ないぶベースていこう
• 外基区电阻:    がいぶベースていこう
• 基区:    ベースりょういきベース領域

例句与用法

1. 对于TTL中的n-p-n-BJT，采用SCT来代替，可较好地解决开、关速度对基极电流Ib大小要求上的矛盾（快速导通要求Ib大，即要基区电荷存储多；而快速关断要求Ib小，即要电荷存储少）。
2. HBT具有以下优点：①基区可以高掺杂(可高达1020/cm3)，则基区不易穿通，从而基区厚度可以很小(则不限制器件尺寸的缩小)；②因为基区高掺杂，则基区电阻很小，最高振荡频率fmax得以提高；③基区电导调制不明显，则大电流密度时的增益下降不大；④基区电荷对C结电压不敏感，则Early电压得以提高；⑤发射区可以低掺杂(如1017/cm3)，则发射结势垒电容降低，晶体管的特征频率fT提高；⑥可以做成基区组分缓变的器件，则基区中有内建电场，从而载流子渡越基区的时间τB得以减短。

其他语言

基区电荷的英语：base charge