- 〈電〉ベース.
『参考』トランジスターの電極の一つ.エミッターの発射電流をコントロールするもの.
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基极的日文
例句与用法
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- サンプル解析と回路シミュレーションはエネルギーによるＬＮＡ内部トランジスタのベース極／発射極金属化損傷を表した。
样品解削和电路仿真显示能量作用使ＬＮＡ内部晶体管出现基极／发射极金属化损伤，基极金． - サンプル解析と回路シミュレーションはエネルギーによるＬＮＡ内部トランジスタのベース極／発射極金属化損傷を表した。
样品解削和电路仿真显示能量作用使ＬＮＡ内部晶体管出现基极／发射极金属化损伤，基极金． - 次にベース電流が入力となること，コレクタと節点Ｖｍ間の電圧が出力となること，これらの電流，電圧が因果関係をなすこと，電圧利得が高いことを加えている．
接下来添加如下情况：基极电流成为输入，集电极和接头Ｖｍ之间的电压成为输出，这些电流、电压形成因果关系，电压增益较高。 - 次にＣＭＯＳウエル領域，ゲート酸化膜を形成し，ＬＤＤソース?ドレインエックステンション層を形成後，ＳｉＧｅエピタキシャル層，ベース，エミッタポリＳｉ層等のＳｉＧｅ ＨＢＴの主要部を形成する。
然后形成ＣＭＯＳ阱区域，门氧化膜，形成ＬＤＤ源、漏扩充层后，形成ＳｉＧｅ外延层，基极，发射极聚Ｓｉ层等ＳｉＧｅ ＨＢＴ的主要部分。 - エミッタサイズ０．２ｘ１．０μｍ２のＳｉＧｅ ＨＢＴのベース?エミッタ間電圧（ＶＢＥ）のばらつき（σ）は１ｍＶ以下でＳｉバイポーラと差はなく，ＣＭＯＳトランジスタのしきい値電圧（Ｖｔｈ）と比べて約１桁小さい。
发射极尺寸０．２ｘ１．０μｍ２的ＳｉＧｅ ＨＢＴ的基极发射极间电压（ＶＢＥ）的波动（σ）在１ｍＶ以下，与Ｓｉ双极没有差别，比ＣＭＯＳ晶体管的临界值电压（Ｖｔｈ）小１位左右。