ウェーハ造句

• SUMCO TECHXIV株式会社（サムコ テクシブ）は半導体用シリコンウェーハのメーカーである。
• 溝形状はウェーハ表面へのスラリーの回り込み特性を左右するため、溝形状により研磨特性は大きく変化する。
• シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ (silicon wafer) は、高純度な珪素（シリコン）の薄円盤。
• FZ 法は大口径化に向かないため、産業用に使用されているシリコンウェーハの大部分は Cz 法によって製造されている。
• グラインディングにより発生する微細なウェーハ裏面の加工歪みを研磨することで除去し、ウェーハの抗折強度を向上させる装置。
• グラインディングにより発生する微細なウェーハ裏面の加工歪みを研磨することで除去し、ウェーハの抗折強度を向上させる装置。
• このウェーハにアクセプターやドナーとなる不純物導入や絶縁膜形成、配線形成をすることにより半導体素子を形成することができる。
• また、金属研磨の場合には、電解液を使用し、研磨定盤とウェーハの間に電圧を加えて電解研磨を行う、いわゆるECMPと呼ばれる装置もある。
• SOITEC（仏）は次世代デバイス用（高速、低消費電力を狙ったMPUなど）に使われる薄膜SOIウェーハでは、代表的なメーカーである。
• 一般的には硬質のパッドほどウェーハの表面形状に追従しないため、平坦性が向上するが、ウェーハそのもののトポグラフィーの影響を受け、研磨分布は悪くなる。
• 一般的には硬質のパッドほどウェーハの表面形状に追従しないため、平坦性が向上するが、ウェーハそのもののトポグラフィーの影響を受け、研磨分布は悪くなる。
• 結晶成長工程ではFZ法やCz法により結晶成長させるが、現在のシリコンウェーハの大部分はCz法によって製造されているため、以下はCz法で代表して記述する。
• 片持ち梁（カンチレバー）の先端についた先端が尖ったダイアモンドのチップ（スタイラス）で、半導体ウェーハなどの測定試料表面をなぞりその凹凸を測定する機械。
• 1985年（昭和60年）3月 - シリコンウェーハ事業を行うニッテツ電子株式会社（後のワッカー?エヌエスシーイー、現?シルトロニック?ジャパン）を設立。
• この方式では研磨定盤とキャリアの回転方向が同一方向かつ時間当たり回転数が等しい場合、ウェーハ面内の相対線速度が等しくなるため、均一に研磨することができる。
• 基本的にチップサイズの大きなMPUや大量に生産してコストを低減する必要のあるメモリ（DRAM、フラッシュメモリ）には大口径のウェーハが使用され、300mm化の進展も著しい。
• 研磨装置としては、円形の定盤の上に研磨パッドを貼り付け、その上にスラリーを滴下しながら、シリコンウェーハを保持したキャリアと接触させながら共に回転させる、ロータリータイプと呼ばれる装置が主流である。
• 1999年7月30日 - 住友金属工業（株）、三菱マテリアル（株）、三菱マテリアルシリコンの共同出資により、300mmシリコンウェーハの開発?製造会社として（株）シリコンユナイテッドマニュファクチュアリングが設立。
• 以下、MEMC（米）、Siltronic（独）、コバレントマテリアル（日）、LG Siltron（韓）などが大手で、それ以外にも比較的小規模なメーカー、再生ウェーハ専門、SOIウェーハ専門など、特徴を持ったメーカーが存在する。
• 以下、MEMC（米）、Siltronic（独）、コバレントマテリアル（日）、LG Siltron（韓）などが大手で、それ以外にも比較的小規模なメーカー、再生ウェーハ専門、SOIウェーハ専門など、特徴を持ったメーカーが存在する。