ウェーハ造句

• エッチング加工されたシリコン?ウェーハ。
• エピタキシャル?ウェーハのサンプル生産を開始。
• 1971年9月 - 拡散ウェーハの生産を開始。
• 1962年10月 - シリコンウェーハの外販を開始。
• 1997年（平成9年）4月 - シリコンウェーハ事業部が発足。
• 半導体に使用されるシリコンウェーハなどのチップ分割を行う切断装置。
• 2004年（平成16年）4月1日 - シリコンウェーハ事業部を廃止。
• 1967年3月 - 鏡面ウェーハとエピタキシャルウェーハの生産を開始。
• 1967年3月 - 鏡面ウェーハとエピタキシャルウェーハの生産を開始。
• シリコンウェーハや化合物半導体などさまざまな素材の薄化研削を行う装置。
• ポリッシャと同様の目的で使用される、プラズマを使用したウェーハ研磨装置。
• ウェハーあるいはウェーハ（wafer）とは、半導体素子製造の材料である。
• 現在製品化されているシリコンウェーハの径は直径 300 mm までである。
• 半導体素子の製造の為に、ウェーハは特定の結晶方位に沿ってスライスされている。
• シリコンウェーハ製造プロセスは大きく、結晶成長工程とウェーハ加工工程に分けられる。
• シリコンウェーハ製造プロセスは大きく、結晶成長工程とウェーハ加工工程に分けられる。
• 1963年8月 - 多結晶シリコンからシリコン?ウェーハまでの一貫生産体制を確立。
• モータステージなどを組み合わせ4インチウェーハ内の数十μm領域を測定できる装置もある。
• また、工程中でウェーハの向きを合わせるために、オリフラまたはノッチとよばれる切り欠きがある。
• シリコンウェーハの大手ベンダーには日系メーカーが多く、全体に占める日系のシェアは60%を超える。