单晶的造句

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该实验讨论了各种因素对拉制磷化镓单晶的影响。并确定了一套较优越的拉制方法，制备出了国际上现阶段所能达到的最高水平的低位错单晶。
发现batio3多晶薄膜的光学带隙大于文献报导的单晶薄膜的光学带隙,对于结晶性好的薄膜,其光学带隙接近于单晶值,退火温度越低,结晶性越差,与单晶的光学带隙相差越大。
受znse过窄的一致升华范围限制，物理气相输运( pvt ， physicalvaportransport )技术生长znse单晶需要复杂的程序，因此我们选择化学气相输运( cvt ， chemicalvaportransport )技术作为生长znse单晶的主要技术，并作了一定的改进。
利用电极化的边界屏蔽近似，可计算出一些典型铁电单晶的自发极化强度.铁电屏蔽电荷处于表面束缚极化子偶状态,其产生和湮没要跨越位垒.由统计方法给出的一些常见晶体和陶瓷的四种典型电滞回线形状，和实验观察到的结果一致
两种方法生长znse体单晶的结构和形貌研究表明，在输运剂zn伽场) 3c15的存在和本文实验条件下， cvt气相生长znse的机理主要为二维成核与生长机理， ( 111 )面为主要生长晶面，该结果为立方晶体的奇异面生长理论提供了重要的实验证据。
本文工作重点是探索制备工艺简单、成本低、操作简便的znse单晶生长新方法，获得化学计量比接近1 ： 1的、具高结晶质量的znse体单晶，并在此基础上对生长的znse单晶的结构特点、光学和电学特性进行进一步研究。
第四章以铁电体1800畴变的过程中形核规律和畴界运动规律的实验观察结果为基础，根据热力学理论建立铁电体畴变的理论框架和数值模拟方法；给出了单畴内畴变驱动力、新畴形核准则、畴界运动速度公式、畴变动力学的表达式，单晶的畴变速率公式；用细观力学的观点给出了对多晶铁电体多场耦合的有效性质进行包含畴变速率影响的多尺度分析方法。
发现几乎所有高位错密度的si - gaas单晶的表层都具有网络状胞状结构或系属结构，首次对该胞状结构和系属结构的形成机制进行了研究；直接观察微缺陷，配合eds (能量色散谱)鉴定si - gaas中微缺陷的物理本质，同时分析其产生原因，讨论与位错的相互作用。
用单晶的造句挺难的，這是一个万能造句的方法