单晶的造句

• 硅掺杂半导体立方氮化硼单晶的制备
• 沸石大单晶的合成与表征
• 一个复杂因素是薄膜为应变和单晶的，几乎没有任何缺陷。
• 用途：分析试剂。碘的助溶剂。制备单晶的原料。
• 粉压叶腊石及其焙烧工艺对合成立方氮化硼单晶的影响
• 从而对新型16 ”复合式热系统生长200mmczsi单晶的生长机理进行了比较好的理论解释。
• 论文中对硅锗单晶的光学禁带宽度进行了测试，得出了掺锗不同浓度下禁带宽度值。
• Xrd精确测定所得超细镍粉的晶格常数为a = 0 . 35288nm ,比完整ni单晶的晶格常数大,晶格发生了膨胀。
• 利用单晶x - ray衍射( scxrd )对czsige单晶的晶胞进行了测试，发现晶胞参数发生了明显的变化。
• ）单晶的显微组织由连续的nb5si3金属间化合物和nb粒子组成， nb粒子长大并不明显。
• 利用原子力显微镜( afm )对不同锗浓度的硅锗单晶的形貌进行了观察，得到了不同单晶的原子层形貌。
• 另外，目前普遍认为非掺si - gaas单晶的半绝缘特性是浅受主碳和深施主el2相互补偿的结果。
• 经多次试验成功地拉制出了200mm的低氧碳太阳能级硅单晶，并与生长150mmczsi单晶的16 ”热系统进行了试验对比。
• 一种方法是以znse多晶为原料，成功生长了尺寸为9 25mm ，端面由{ 111 } 、 { 100 }组成的高质量znse体单晶的技术。
• 本文重点研究了用两种不同的均使用zn ( nh _ 4 ) _ 3cl _ 5作为输运剂的cvt生长znse体单晶的方法。
• Yig和ce ： yig的合成及其成分、结构和性能的分析，为ce ： yig单晶的制备和研究奠定了良好的基础。
• 对于有掺杂的zn吧人内。 p 11o单晶，通过不同掺杂可以改变zn95cd ste叫单晶的电阻率，从而改变样品产生thz辐射的效率。
• 高温下的薄膜生长更接近于单晶的生长条件，六角晶系晶体的结晶习性是片状生长，表现为片状的单晶，这种习性受晶体自身结构特性的限制。
• 为了更好的控制单晶的直径，我们还利用了英国mr公司的浮舟控制法，该方法能够有效的控制单晶的直径。使其误差尽可能的小。
• 用红外分析研究了纳米晶中金属与氨基酸的配位，元素分析表明纳米晶和相应的单晶的组成是基本一致的， xrd分析证明单晶和纳米晶成键特征是相似的。

• 单晶的的英语：mono-crystalline=monocrystalline
• 单晶的的法语：monocristallin unicristallin