しきい値電圧中文是什么意思

• たとえば，複数しきい値電圧を用意し，スタンバイ時には高いしきい値電圧のトランジスタをオフしてリークを止める回路方式では，このトランジスタのサイズを大きくすると面積オーバヘッドが大きくなり，小さくすると遅くなる．
  譬如，准备多个阈值电压，在待机时关掉高阈值电压的晶体管并停止渗漏的电路类型中，若加大这个晶体管的尺寸的话，面积负载会变大，而缩小晶体管的尺寸的话会变慢。
• たとえば，複数しきい値電圧を用意し，スタンバイ時には高いしきい値電圧のトランジスタをオフしてリークを止める回路方式では，このトランジスタのサイズを大きくすると面積オーバヘッドが大きくなり，小さくすると遅くなる．
  譬如，准备多个阈值电压，在待机时关掉高阈值电压的晶体管并停止渗漏的电路类型中，若加大这个晶体管的尺寸的话，面积负载会变大，而缩小晶体管的尺寸的话会变慢。
• エミッタサイズ０．２ｘ１．０μｍ２のＳｉＧｅ　ＨＢＴのベース?エミッタ間電圧（ＶＢＥ）のばらつき（σ）は１ｍＶ以下でＳｉバイポーラと差はなく，ＣＭＯＳトランジスタのしきい値電圧（Ｖｔｈ）と比べて約１桁小さい。
  发射极尺寸０．２ｘ１．０μｍ２的ＳｉＧｅ　ＨＢＴ的基极发射极间电压（ＶＢＥ）的波动（σ）在１ｍＶ以下，与Ｓｉ双极没有差别，比ＣＭＯＳ晶体管的临界值电压（Ｖｔｈ）小１位左右。
• たとえば，トランジスタのボディ―ソース間に０．５Ｖの順バイアスを加える場合，ｎＭＯＳ，ｐＭＯＳ補助トランジスタのしきい値電圧をそれぞれＶｔｈ―ｎ，Ｖｔｈ―ｐとして，＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠の電位を補助トランジスタのゲートに与える．
  例如，在半导体管的本体―源头间添加０．５Ｖ的顺压下，分别将ｎＭＯＳ，ｐＭＯＳ辅助半导体管的界限值电压设为Ｖｔｈ―ｎ，Ｖｔｈ―ｐ，将＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠的电位供给辅助半导体管入口。