しきい値電圧中文是什么意思

• 阈电压；临界电压；门限电压；阈值电压

• "しきい値"中文翻译    阈值；界限值；门槛；限度；阈（值）；范围；门限；临界值
• "電圧"中文翻译    でんあつ 0 電 圧 【名】 电压
• "しきい値電圧のシフト" 中文翻译 :    阈值电压漂移
• "フィールドしきい値電圧" 中文翻译 :    场门限电压
• "しきい値" 中文翻译 :    阈值；界限值；门槛；限度；阈（值）；范围；门限；临界值
• "しきい値学習" 中文翻译 :    阈值知识
• "しきい値演算" 中文翻译 :    阈值运算
• "しきい値素子" 中文翻译 :    临界值元件；阈值元件
• "しきい値論理" 中文翻译 :    阈逻辑（电路）；门限逻辑（电路）
• "しきい値関数" 中文翻译 :    阈值函数
• "実効しきい値" 中文翻译 :    じっこう閾ち有效阈值。
• "しきい電圧" 中文翻译 :    閾でんあつ阈值电压。
• "しきい値ゲート" 中文翻译 :    阈值元件
• "しきい値レベル" 中文翻译 :    门限（信号）电平；阈电平
• "しきい値動作要素" 中文翻译 :    临界值元件；阈值元件
• "しきい値検出器" 中文翻译 :    阈值检测器；门限检波器
• "自動しきい値制御" 中文翻译 :    じどう閾ちせいぎょ自动临界值控制，自动阈值控制。
• "しきい値エネルギー" 中文翻译 :    电离门限能量；阈能；能限
• "ガイガーのしきい電圧" 中文翻译 :    盖格阀电压
• "パルス波高値電圧計" 中文翻译 :    pulse はこうちでんあつけい脉冲峰值电压表。
• "しきい" 中文翻译 :    敷 居 【名】 席地而坐时用的席子;门槛
• "しきいき" 中文翻译 :    色域
• "しきいし" 中文翻译 :    敷 石 ;舗 石 【名】 铺路石(同いしだたみ)
• "しきいた" 中文翻译 :    系板；垫板；固定板；底板；地板；砂箱垫板；铺板；毛板；半基础梁
• "しきいち" 中文翻译 :    阈值；界限值；门槛；限度；阈（值）；范围；门限；临界值

• これを用いれば，ウエハ面内におけるしきい値電圧の均一性を飛躍的に向上できる。
  采用这一方法，能够使晶元面内的临界值电压的均匀性得到飞跃性地提升。
• ゲートとボディーを結線してダイナミックにしきい値電圧を制御して使うＤＴＭＯＳなども期待されている．
  期待开发门与机身连线的通过动态地控制阈值电压来使用的ＤＴＭＯＳ等。
• ただ，将来は高いしきい値電圧のトランジスタサイズをどの程度にするかや，時間的，空間的なしきい値電圧の最適化など新しいツールの余地がある．
  只是，将来有把高阈值电压的晶体管的尺寸设置到何种程度，以及时间和空间上的阈值电压的最优化等新工具的余地。
• ただ，将来は高いしきい値電圧のトランジスタサイズをどの程度にするかや，時間的，空間的なしきい値電圧の最適化など新しいツールの余地がある．
  只是，将来有把高阈值电压的晶体管的尺寸设置到何种程度，以及时间和空间上的阈值电压的最优化等新工具的余地。
• この方式は，デバイス製造者が所望のドレイン電流値，またはしきい値電圧を得ることが出来る反面，エッチングによって，誤差やウエハ面内のばらつきを生じる。
  该方式能够得到器件制造者所希望的漏电流值，以及临界值电压，但也会因为蚀刻出现误差及晶元面内的波动。
• しきい値電圧Ｖｔｈを静的に制御する手法として，クリティカル？パス上の素子についてのみ低Ｖｔｈのトランジスタを割り当てるデュアルＶｔｈがある．
  作为静态地控制界限值电压Ｖｔｈ的手法，有一种二重Ｖｔｈ，它能仅仅对关键路径上的单元来分配低Ｖｔｈ的半导体管。
• たとえば，　ＭＯＳトランジスタのゲート長がばらつけば，しきい値電圧や電流駆動能力にばらつきが生じ，特に，メモリやアナログの回路では性能ばらつきが大きくなる．
  譬如，ＭＯＳ晶体管的门长有偏差的话，阈值电压和电流驱动能力上就会产生偏差，特别是存储器和模拟电路中性能的偏差会变大。
• 汚染のうちでＮａは金属酸化物半導体（ＭＯＳ）ＬＳＩの初期から可動イオンとして問題とされたもので，ゲート酸化膜中にあってはしきい値電圧を変動させることが知られている。
  这些污染中Ｎａ作为金属氧化物半导体（ＭＯＳ）ＬＳＩ初期的可移动离子成为一个问题，已知可导致氧化膜中的阈值电压发生变动。
• トランジスタのしきい値電圧は，ドレイン電圧ＶＤ　＝　１．８Ｖのときにドレイン電流＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠とするゲート電圧を，回路シミュレーションによって算出した結果を示す．
  半导体管的临界值电压表示的是，在导管电压ＶＤ　＝　１．８Ｖ时，通过电路仿真计算出导管电流为＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠的栅压的结果。
• そのため，ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を低くして高速化することが常套手段だが，これはサブスレショルドリーク成分を増大させ，結局は消費電力を増大させたり，スタンバイ時の電池寿命を低減させたりする．
  为此，降低ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压并高速化是老一套的做法，但是这样做会使次临界渗漏成分增大，最终会使功耗增大，降低待机时电池的寿命等。

• しきい値電圧の英語しきい値電圧 threshold voltage[その他]〈96確Z2300:非破壊試験用語〉; threshold voltage[電情]