晶格常数的日文

• 上下それぞれの点を結ぶ曲線が，格子定数の比（ｃ／ａ）が変化した場合の各回折線のｌｏｇＱの値の変化を示している。
  连接上下各点的曲线显示的是晶格常数比（ｃ／ａ）变化时各衍射线的ｌｏｇＱ值的变化。
• 格子定数が未知の立方晶の粉末Ｘ線回折実験で，Ｆｉｇ．４中最上段の黒丸で示されたＱ値が観察されたとする。
  在晶格常数未知的立方晶体的粉末Ｘ射线衍射实验中，假设观测到了Ｆｉｇ．４中最上段的黑点代表的Ｑ值。
• 一方，ＳｉＣは，格子定数差も４％と小さく，熱伝導率が極めて高いことから，高出力ＧａＮトランジスタ用基板として優れる。
  另一方面，ＳｉＣ的晶格常数差比较小，只有４％，热传导率非常高，作为大功率ＧａＮ晶体管用基板非常适合。
• 圧力媒体をパイロフィライトとしたときのデータであり，圧力値は放射光Ｘ線観察によるＮａＣｌの格子定数変化から決定したものである。
  这是压力介质为叶蜡石时的数据，压力值是通过同步辐射ｘ射线观察中ＮａＣｌ的晶格常数变化决定的。
• 表より，成膜ガス圧の増加に伴う格子定数ａ値は，ａ＝０．３７７４?０．３７９８の値を示し，顕著な変化は認められなかった。
  表中显示，随着成膜气压的增加，晶格常数ａ值表现ａ＝０．３７７４～０．３７９８的值，没有出现明显的变化。
• ひずみＳｉは，図１に示すように，格子定数の大きなＳｉＧｅ層上にＳｉ層を堆積して形成されるため，Ｓｉ層は横方向に引っ張り応力を受けひずむ。
  应变Ｓｉ如图１所示，是在晶格常数大的ＳｉＧｅ层上堆积Ｓｉ层形成的，Ｓｉ层受到横向的牵拉应力，发生应力。
• 式（４）と式（２）を比べてみると，格子定数の比（ｃ／ａ）が一定で変化しなければ，立方晶の指数付け法がそのまま応用できることが解る。
  比较式（４）和式（２）可以发现，如果晶格常数之比（ｃ／ａ）一定，不出现变化，立方晶体的指数化方法可以直接使用。
• サファイヤ基板はＧａＮと格子定数差が１５％と極めて大きいものの，大口径化は容易で，価格も１００ｍｍ径でＧａＡｓ基板の数倍程度である。
  蓝宝石基板的ＧａＮ和晶格常数差非常大，达１５％，但容易实现大口径，价格也是直径１００ｍｍ的ＧａＡｓ基板的数倍左右。
• 成膜ガス圧を１．０?４．０Ｐａの条件で成膜したＴｉＯ２薄膜における格子定数ａ値，ｃ値およびｃ／ａ値の成膜ガス圧依存性を表２に示す。
  在成膜气压为１．０～４．０Ｐａ的条件下成膜的ＴｉＯ２薄膜的晶格常数ａ值、ｃ值以及ｃ／ａ值的成膜气压依赖性如表２所示。
• この方法は，実格子定数の変化に対し，Ｑ値が連続的に変化する事を利用した考え方で，一般の方程式の解法の一つである“はさみうち法”に近いと筆者は考えている。
  笔者认为，该方法的思路是利用Ｑ值对于实际晶格常数变化的连续变化，接近于一般方程式的解法之一“试位法”。