無限大的日文

• 非標準解析を用いる第二の理由は，無限小や無限大が具体的な量として定義されるため，常識推論においてよく用いられる非常に小さい，あるいは非常に大きいという概念を取り扱うことが可能になることである．
  使用非标准解析的第二个理由是，因为无限小和无限大是作为具体的量被定义的，所以可能在常识推论中处理经常使用的非常小或者非常大的概念。
• 試料ポートＣまたはＤからＲｃａｌを取り外した“Ｒｃａｌ：ｏｐｅｎ”状態では，本来流れないはずのｃｏｍｍｏｎ　ｍｏｄｅ電流が微量ながらいずれかに洩れ，図２のＶｔを誘起するため，ＬＣＬ値は無限大にならない。
  在从试样口Ｃ或Ｄ拆下Ｒｃａｌ的“Ｒｃａｌ：ｏｐｅｎ”状态，本来不应有的共模电流出现微量的泄漏，感应出图２的Ｖｔ，因此ＬＣＬ值不能变成无限大。
• 図４に示すリアクタンスのみの純リアクタンス回路で構成される１機１負荷無限大母線系統において，界磁鎖交磁束の変化およびＡＶＲ制御系（一次遅れ系で近似）を考慮した場合のリアプノフ関数を導出する。
  如图４所示，在仅有电抗的纯电抗回路所构成的１机１负荷无限大母线系统中，导出考虑了励磁链接磁通的变化以及ＡＶＲ控制系统（一次滞后系统的近似）的李亚普诺夫函数。
• 例えば，演習（１）のｔａｎ　ｘにおいて，Ｅｘｃｅｌ上ではπ／２の値を無限大ではなく有限の非常に大きな数値として表現するため，グラフ化したときに数学で学習したｔａｎ　ｘの形と全く違ったものになる。
  比方说实践（１）的ｔａｎ　ｘ，在Ｅｘｃｅｌ上，由于π／２的值不是无限大，而是以有限且非常大的数值表现，因此，在图表化时，ｔａｎ　ｘ的形状与数学中学习到的完全不同。
• １）に関しては，学習サンプル数Ｃが大きいほど獲得する文法規則の数が増加するため，正解率が向上するのは自明であるが，　Ｃの値をきわめて大きく設定するのは現実的でないため，実用的な文法が獲得できる程度に設定する必要がある．
  关于１），由于学习样品数Ｃ越大获得的语法规则的数目变得越多，非常明显正确率会得到提高，但是要将Ｃ的值设定到无限大是不现实的，所以需要将之设定到能够获得实用性语法的程度。
• Ｐ（ｄ，ｗ）を与えるためのパラメータＰ（ｄ｜ｚ），Ｐ（ｗ｜ｚ），Ｐ（ｚ）は，次の対数尤度Ｌを目的関数とし，これを最大（実際には極大）にするように，適当な初期パラメータ値から始めて，　ＥＭアルゴリズムによる繰返し計算で推定する．
  为了给予Ｐ（ｄ，ｗ）参量Ｐ（ｄ｜ｚ），Ｐ（ｗ｜ｚ），Ｐ（ｚ），以下的对数可能Ｌ作为目的函数，为了让它成为最大值（实际上是无限大），从适当的初期参量开始，根据反复计算ＥＭ算法来推定。
• たとえば，誘電体界面と電極（導体）表面が接触する点の電界の挙動は，いわゆる「高木効果あるいは三重点効果（ｔｒｉｐｌｅ?ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｅｆｆｅｃｔ）」としてよく知られているが，接触角によって理論上は電界が無限大あるいは０になる。
  比方说，介质界面与电极（导体）表面接触点的电场变化－－“高木效应或三重点效应（ｔｒｉｐｌｅ－ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｅｆｆｅｃｔ）”众所周知，在理论上，电场根据接触角的不同，为无限大或０。
• 理論的にはＮを無限大にし，つねにすべてのＦＡでＡＤＶ送信間隔がＴｓｈｏｒｔａｄｖになる場合，＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠と設定したＭｏｂｉｌｅ　ＩＰおよびＮｅｉｇｈｂｏｒＣａｓｔｉｎｇと同等の無線チャネルのオーバヘッドが発生すると考えられる．
  理论上Ｎ无限大时，常是所有ＦＡ下ＡＤＶ发送间隔为Ｔｓｈｏｒｔａｄｖ，发生与设定为＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠的Ｍｏｂｉｌｅ　ＩＰ和ＮｅｉｇｈｂｏｒＣａｓｔｉｎｇ同等的无线频道顶头。
• ＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠近接学（ｐｒｏｘｅｍｉｃｓ）の観点からも５０ｃｍ以下は“ｉｎｔｉ―ｍａｔｅｄｉｓｔａｎｃｅ”と呼ばれ［Ｈａｌｌ６６］，人間とのインタラクションなど実際の利用にあたり，ｌが無限大という仮定をおくことは妥当であろう．
  ＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠从靠近学（ｐｒｏｘｅｍｉｃｓ）的角度来看５０ｃｍ以下称做“ｉｎｔｉ―ｍａｔｅｄｉｓｔａｎｃｅ”［Ｈａｌｌ６６］，在面对与人类的互动等实际利用时，事先假定ｌ为无限大是稳妥地。
• 通常のＩＣプロセスを想定した１層目のメタル配線下の絶縁層の厚さ（１．２μｍ程度）の場合，ＧＨｚ帯では急激に損失が大きくなり，例えば５ＧＨｚの時，損失は?３ｄＢとＧａＡｓ基板（抵抗率は無限大，グランドとのギャップ２５μｍ）の場合に比べて，約８倍の損失となる。
  对于以通常ＩＣ工艺设定第１层金属引线下的绝缘层厚度（１．２μｍ左右）的情况，在ＧＨｚ频带下，损失急剧增大，例如在５ＧＨｚ时，损失为－３ｄＢ，与ＧａＡｓ基板（电阻率为无限大，接地间隙２５μｍ）相比，损失约为８倍。