エピタキシャル層中文是什么意思

• 外延层

• "シ"中文翻译    西，大音阶的第七音
• "ル"中文翻译    低膨胀高镍铸铁（Ｎｉ ３４～３６％、其余Ｆｅ）
• "層"中文翻译    そう13 1 層 【名】 地层
• "エピタキシャル膜" 中文翻译 :    外延（生长）膜
• "えきそうエピタキシャル" 中文翻译 :    液相外延
• "きそうエピタキシャル" 中文翻译 :    汽相外延
• "にじゅうエピタキシャル" 中文翻译 :    双外延（生长）
• "イソエピタキシャル" 中文翻译 :    同质外延（的）
• "イソエピタキシャル成長" 中文翻译 :    同质外延生长
• "エピタキシャルきばん" 中文翻译 :    外延生长衬底
• "エピタキシャルせつごう" 中文翻译 :    外延结
• "エピタキシャルそう" 中文翻译 :    外延层
• "エピタキシャルまく" 中文翻译 :    外延（生长）膜
• "エピタキシャルウェハー" 中文翻译 :    外延片
• "エピタキシャルエミッタ" 中文翻译 :    外延发射区
• "エピタキシャルガス" 中文翻译 :    外延（用）气体
• "エピタキシャルシリコン" 中文翻译 :    外延硅
• "エピタキシャルセル" 中文翻译 :    外延元件
• "エピタキシャルデパイス" 中文翻译 :    外延器件
• "エピタキシャルプロセス" 中文翻译 :    外延（生长）过程
• "エピタキシャルベース" 中文翻译 :    外延基区；外延基底
• "エピタキシャルメーサ" 中文翻译 :    外延台面型（晶体管）
• "エピタキシャル基板" 中文翻译 :    外延生长衬底
• "エピタキシャル成長" 中文翻译 :    外延生长
• "エピタキシャル拡散法" 中文翻译 :    外延扩散法

• デルタドーピングエピタキシャル層はＧａＡｓ基板上にＭＯ―ＣＶＤ法により形成された。
  三角掺杂外延层在ＧａＡｓ基板上通过ＭＯ―ＣＶＤ法形成。
• 前述のように，電子デバイス用エピタキシャル層の成長法としては，ＭＯＶＰＥ法およびＭＢＥ法が実用化している。
  如上所述，作为电子器件用外延层的成长法，ＭＯＶＰＥ法和ＭＢＥ法已经投入实用。
• ベース層，コレクタ層をＳｉＧｅエピタキシャル層で形成することを除いて，Ｓｉバイポーラトランジスタと同一のプロセスを用いられる。
  除了在ＳｉＧｅ外延层形成基层和集电极层外，采用与Ｓｉ双极晶体管相同的工艺。
• まず，Ｓｉ基板上にコレクタ埋め込み層（ｎ＋　ｂｕｒｉｅｄ　Ｌａｙｅｒ）を形成し，Ｓｉエピタキシャル層を堆積後，素子分離を行う。
  首先，在Ｓｉ基板上形成集电极埋入层（ｎ＋　ｂｕｒｉｅｄ　Ｌａｙｅｒ），堆积Ｓｉ外延层后，进行元件分离。
• 次にＣＭＯＳウエル領域，ゲート酸化膜を形成し，ＬＤＤソース?ドレインエックステンション層を形成後，ＳｉＧｅエピタキシャル層，ベース，エミッタポリＳｉ層等のＳｉＧｅ　ＨＢＴの主要部を形成する。
  然后形成ＣＭＯＳ阱区域，门氧化膜，形成ＬＤＤ源、漏扩充层后，形成ＳｉＧｅ外延层，基极，发射极聚Ｓｉ层等ＳｉＧｅ　ＨＢＴ的主要部分。
• ＳｉＧｅエピタキシャル層のナノスケールのプロセス制御によって性能向上が急速に進むＳｉＧｅ　ＨＢＴは４０Ｇｂｐｓ光伝送システムやサブミリ波帯，ミリ波帯の無線システム等にも用途が広がっており，２００６年にはＲＦ市場を中心に年間１０００億円市場が見込まれる。
  通过ＳｉＧｅ外延层的纳米级的工艺控制，性能得到迅速提升的ＳｉＧｅ　ＨＢＴ，广泛应用于４０ＧｂｐＳ光传输系统和亚毫米波段、毫米波段的无线系统等，２００６年以ＲＦ市场为中心，全年将会形成１０００亿日元的市场。

• エピタキシャル層の英語epitaxial layer