エミッタ中文是什么意思

发音:

用"エミッタ"造句"エミッタ"中国語の意味

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发射体；发射（电）极

"ミ"中文翻译大音阶的第三音，米
"エミッタ層" 中文翻译 : 发射极层
"エミッタ窓" 中文翻译 : 发射窗（孔）
"エミッタそう" 中文翻译 : 发射极层
"エミッタまど" 中文翻译 : 发射窗（孔）
"エミッタピン" 中文翻译 : 发射极管脚（引线）
"エミッタメサ" 中文翻译 : 台面发射极
"エミッタンス" 中文翻译 : emittance发射强度。发射密度。
"エミッタ効率" 中文翻译 : 发射极效率
"エミッタ回路" 中文翻译 : 发射极电路
"エミッタ容量" 中文翻译 : 发射极电容
"エミッタ抵抗" 中文翻译 : 发射极电阻
"エミッタ拡散" 中文翻译 : 发射极（区）扩散
"エミッタ接合" 中文翻译 : 发射结
"エミッタ接地" 中文翻译 : 共发射极；发射极接地
"エミッタ短絡" 中文翻译 : 发射极短路
"エミッタ端子" 中文翻译 : 发射极引出端子；发射极引线
"エミッタ電流" 中文翻译 : 射极电流
"エミッタ領域" 中文翻译 : 发射极区（域）
"くし型エミッタ" 中文翻译 : 梳形发射极；叉指形发射极；梳状发射体
"はくまくエミッタ" 中文翻译 : 薄膜发射极
"エミッタかいろ" 中文翻译 : 发射极电路
"エミッタかくさん" 中文翻译 : 发射极（区）扩散
"エミッタこうりつ" 中文翻译 : 发射极效率
"エミッタせっち" 中文翻译 : 共发射极；发射极接地

例句与用法

＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠規則（１８）はエミッタフォロワー回路（図８）を定義している．
＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠规则（１８）中定义了发射极跟随器电路（图８）。
＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠規則（１７）は図７のコモンエミッタ（エミッタ接地）回路を定義している．
＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠规则（１７）定义了图７的共射极（发射极接地）电路。
＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠規則（１７）は図７のコモンエミッタ（エミッタ接地）回路を定義している．
＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠规则（１７）定义了图７的共射极（发射极接地）电路。
このような構造を持つナノ材料はナノエレクトロニクスにおけるナノ配線やフィールドエミッタといった応用上，特に重要になってくるであろう。
具有这种结构的纳米材料在制程技术的纳米布线和场致发射的应用方面变得越来越重要。
また，ＨＢＴはＩｎＧａＰをエミッタに使うと信頼性に優れることから，ＡｌＧａＡｓ系にかわるものとして，量産化がすすんできた。
另外，ＨＢＴ将ＩｎＧａＰ用于发射极时，可靠性好，因此作为ＡＬＧａＡｓ系列的替代品，批量生产的进程正在加快。
ソース，ドレイン不純物層の活性化とエミッタ領域を形成する熱処理条件を一致させ，同時に処理をすることで，両デバイスの性能維持を可能とした。
使提高源、漏杂质层的活性和形成发射极区域的热处理条件一致，同时进行处理，能够保持两器件的性能。
図２は２００２年度の主要学会で報告されたＳｉＧｅ　ＨＢＴの遮断周波数（ｆＴ）とコレクタエミッタ間耐圧（ＢＶＣＥＯ）の相関を示す。
图２表示在２００２年度的主要学会上报告的，ＳｉＧｅ　ＨＢＴ的遮断频率（ｆＴ）与集射极间耐压（ＢＶＣＥＯ）的关系。
“選択エミッタ型太陽電池の規模化生産技術”は中国の“十五個”８６３計画のエネルギー技術領域に、代替エネルギー技術分野での革新的な成果である。
”选择性发射极太阳电池规模化生产技术”是国家”十五”８６３计划能源技术领域后续能源技术主题创新课题成果．
電子エネルギー１．４ＧｅＶ，偏向部曲率半径３．２ｍ，周長約７５．６ｍとコンパクトな蓄積リングとなっているが，エミッタンス２５．５ｎｍｒａｄの性能が期待される。
电子能量１．４　ＧｅＶ，偏向部曲率半径３．２　ｍ，周长约７５．６　ｍ，形成小型的蓄积环，但能达到辐射率２５．５　ｎｍｒａｄ的性能。
次にＣＭＯＳウエル領域，ゲート酸化膜を形成し，ＬＤＤソース?ドレインエックステンション層を形成後，ＳｉＧｅエピタキシャル層，ベース，エミッタポリＳｉ層等のＳｉＧｅ　ＨＢＴの主要部を形成する。
然后形成ＣＭＯＳ阱区域，门氧化膜，形成ＬＤＤ源、漏扩充层后，形成ＳｉＧｅ外延层，基极，发射极聚Ｓｉ层等ＳｉＧｅ　ＨＢＴ的主要部分。