ゲート電圧中文是什么意思

• 栅压

• "ゲート"中文翻译    (英) gate 门;出入口;水门
• "電圧"中文翻译    でんあつ 0 電 圧 【名】 电压
• "順ゲート電圧" 中文翻译 :    じゅんgateでんあつ正向触发电压。
• "トリガゲート電圧" 中文翻译 :    触发控制极电压；触发选通脉冲电压；触发门电压
• "バックゲート電圧" 中文翻译 :    反向栅压
• "マイナスゲート電圧" 中文翻译 :    负栅压（场效应晶体管）
• "ゲート電極" 中文翻译 :    栅电极
• "ゲート電流" 中文翻译 :    门电流；栅电流（场效应晶体管）；选通电流；电键电流
• "プレート電圧" 中文翻译 :    阳极电压
• "ゲート逆電圧" 中文翻译 :    反向栅压
• "ゲート順電圧" 中文翻译 :    正向栅压
• "シフト電圧" 中文翻译 :    漂移电压
• "テスト電圧" 中文翻译 :    试验电压；测试电压
• "ゲートトリガ電圧" 中文翻译 :    栅（极）触发电压
• "ブースト電圧" 中文翻译 :    辅助电压；升高电压
• "リセット電圧" 中文翻译 :    复位电压；复原电压
• "ゲートバイアス電圧" 中文翻译 :    栅偏压
• "ゲート非トリガ電圧" 中文翻译 :    栅（极）栅未触发（最大）电压
• "ピークゲート逆電圧" 中文翻译 :    反峰栅压（闸流晶体管的）
• "ピークゲート順電圧" 中文翻译 :    正峰栅压（闸流晶体管的）
• "オフセット電圧" 中文翻译 :    补偿电压；失调电压
• "セグメント電圧" 中文翻译 :    位显示电压；字段电压；换向器片间电压
• "ターゲット電圧" 中文翻译 :    靶电压
• "ネルンスト電圧" 中文翻译 :    能斯脱电压
• "フィラメント電圧" 中文翻译 :    灯丝电压

• 図３は，ゲート電圧をパタメータとしたドレイン電流のドレイン電圧依存性である。
  图３表示的是以门电压为参数，漏电流与漏电压的依存性。
• 図２は，ドレイン電圧が２Ｖのときのトランスコンダクタンスのゲート電圧依存性である。
  图２表示的是漏电压２Ｖ时，互导的门电压依存性。
• バイアス条件は，ドレイン電圧が２Ｖ，ゲート電圧が―０．２Ｖである。
  偏压条件是漏电压２Ｖ，门电压―０．２Ｖ。
• ゲート電圧が０Ｖのとき，最大トランスコンダクタンスが６００ｍＳ／ｍｍと良好な値が得られている。
  门电压０Ｖ时，得到最大互导为６００ｍＳ／ｍｍ的较好的值。
• また，ゲート電圧が０Ｖの時のドレインコンダクタンスは３３ｍＳ／ｍｍであり，非常に良好な値が得られている。
  另外，门电压０Ｖ时，漏导为３３ｍＳ／ｍｍ，是非常好的值。
• Ａｃｔｉｖｅ信号を制御することによりメモリセルのバックゲート電圧を動的に変更し閾値電圧を変更する．
  通过控制ａｃｔｉｖｅ信号，动态更改存储器单元的背栅电压，进而更改临界值电压。
• Ｖｇｇ端子よりソース接地ＦＥＴのゲート電圧を，ＶＣ端子よりゲート接地ＦＥＴのゲート電圧を供給する。
  通过ＶＧＧ端子，提供源接地ＦＥＴ的门电压，通过ＶＣ端子提供门接地ＦＥＴ的门电压。
• Ｖｇｇ端子よりソース接地ＦＥＴのゲート電圧を，ＶＣ端子よりゲート接地ＦＥＴのゲート電圧を供給する。
  通过ＶＧＧ端子，提供源接地ＦＥＴ的门电压，通过ＶＣ端子提供门接地ＦＥＴ的门电压。
• トランジスタのしきい値電圧は，ドレイン電圧ＶＤ　＝　１．８Ｖのときにドレイン電流＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠とするゲート電圧を，回路シミュレーションによって算出した結果を示す．
  半导体管的临界值电压表示的是，在导管电压ＶＤ　＝　１．８Ｖ时，通过电路仿真计算出导管电流为＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠的栅压的结果。
• バイアス条件は，電源電圧Ｖｄｄが３．３Ｖ，ゲート接地ＦＥＴのゲート電圧ＶＣが１．２Ｖの状態で，ソース接地ＦＥＴのゲート電圧Ｖｇｇを回路電流Ｉｄｄが６４ｍＡとなるように調整した。
  偏压条件在电源电压Ｖｄｄ为３．３Ｖ，门接地ＦＥＴ的门电压ＶＣ为１．２Ｖ的状态下，调整源接地ＦＥＴ的门电压ＶＧＧ，使得电路电流Ｉｄｄ为６４ｍＡ。

• ゲート電圧の英語gate voltage