バイアス制御中文是什么意思

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用"バイアス制御"造句"バイアス制御"中国語の意味

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偏压控制（调整）

"バイアス"中文翻译偏压，偏倚，斜裁的布条
"制御"中文翻译せいぎょ3 1 制御 ;制禦【名】【他サ】驾驭;支配;控制;...
"バイアス制御回路" 中文翻译 : 偏压控制电路
"バイアス制御法" 中文翻译 : 偏压控制法
"グリッドバイアス制御" 中文翻译 : 栅偏压控制
"バイパス制御" 中文翻译 : 旁路控制
"ふバイアス" 中文翻译 : 负偏置；负偏压
"バイアス" 中文翻译 : 偏压，偏倚，斜裁的布条
"バイアス光" 中文翻译 : 背景光；衬托光
"バイアス源" 中文翻译 : 偏压电源
"バイアス点" 中文翻译 : 偏压（置）点
"正バイアス" 中文翻译 : せい bias正偏压。
"負バイアス" 中文翻译 : ふ bias负偏压。
"順バイアス" 中文翻译 : じゅんbias正向偏压。
"じきバイアス" 中文翻译 : 磁偏；磁偏法
"じこバイアス" 中文翻译 : 自（动）偏压
"れいバイアス" 中文翻译 : 零偏压（置）
"キネバイアス" 中文翻译 : 像偏（彩色电视）
"ゼロバイアス" 中文翻译 : 零偏压（置）
"ノーバイアス" 中文翻译 : 无偏压
"バイアス·タイヤ" 中文翻译 : 【bias tire】斜纹轮胎(以胎体内线网目为旋转方向的斜向交叉状)。?ラジアル·タイヤ。
"バイアス·テープ" 中文翻译 : (英) bias tape [服饰]斜裁布条
"バイアスげん" 中文翻译 : 偏压电源
"バイアスこう" 中文翻译 : 背景光；衬托光
"バイアスじば" 中文翻译 : 偏移磁场

例句与用法

もう１つの特徴は，各トランジスタのボディを動的にバイアス制御できる点である．
另外一个特点是，可以动态偏移控制各晶体管的主体。
２章でクロック？ゲーティングに対するリーク電力削減手法を提案するとともに，そのためのボディ？バイアス制御機構について述べる．
第２章中提出对应仪表闸的漏电削减法，同时论述用于该手法的主体偏压控制构造。
３章で１クロック期間内でのボディバイアス制御に求められるボディ電圧遷移時間に関するタイミング制約について説明する．
第３章中将说明与１个同步脉冲时间内主体偏压控制所要求的主体电压变化时间相关的时机限制。
本章では，クロック？ゲーティングに対するリーク電力削減手法を提案するとともに，そのためのボディ？バイアス制御構造について述べる．
本章在提出对应于仪表闸的漏电削减方法的同时，叙述用于这个方法的主体偏压控制结构。
よって本手法では，タイミング設計の簡潔化および短いスリープ期間でも有効とするため，１クロック期間内でのバイアス制御を前提とする．
因此，在本方法中为了使其在时机设计的简化以及短休眠期间上也有效，以１个同步脉冲内的偏压控制为前提。
ＤＴＭＯＳにおいては，ＰＤ―ＳＯＩトランジスタのボディ容量が小さい性質を利用して，ゲートへの入力信号による動的バイアス制御を実現している．
在ＤＴＭＯＳ中，利用ＰＤ―ＳＯＩ晶体管的主体容量小这个性质，通过通向闸门的输入信号来实现动态偏压控制。
ボディの電圧変化に要する時間が長いバルクでは困難であるが，ＰＤ―ＳＯＩはバルクよりボディ容量が小さいため，急峻なバイアス制御に適している．
主体的电压变化需要的时间长的话会很困难，但是由于ＰＤ―ＳＯＩ的容量因为ｂｕｌｋ而很小，因此适用于陡峭的偏压控制。
必要とするリミッタの数およびトランジスタサイズは，バイアス制御対象とするボディの総負荷容量とタイミング制約に依存するが，ＤＴＭＯＳに比べて少ない．
需要的限制器的数量和晶体管的大小虽然依赖于作为偏压控制对象的主体的总负荷容量和时机限制，但是比ＤＴＭＯＳ少。
提案手法では，ＦＦとローカル？クロック？バッファ内のトランジスタに対してＬＥＮがｈｉｇｈの間ｌｏｗ―Ｖｔｈとし，ｌｏｗの間ｈｉｇｈ―Ｖｔｈとするバイアス制御を行う．
在提案方法中，对于ＦＦ和本地仪表缓冲器内部的晶体管进行ＬＥＮ为高时就设为Ｌｏｅ―Ｖｔｈ、低时就设为ｉｇｈ―Ｖｔｈ这样的偏压控制。
しかもバルク？プロセスでは，バイアス制御するブロックをウェル分離するためにトリプルウェル？プロセスを必要とするが，ＰＤ―ＳＯＩでは各トランジスタのボディが分離されているため必要としない．
而且，在ｂｕｌｋ过程中，为了威尔分离偏压控制需要经过三重程序，但是在ＰＤ―ＳＯＩ中，由于各晶体管的主体是分离的，因此不需要。