マグネトロンスパッタ中文是什么意思

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用"マグネトロンスパッタ"造句"マグネトロンスパッタ"中国語の意味

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磁控管溅射器

"マグネトロン"中文翻译 (英) magnetron 放出极超短波的真空管
"スパッタ"中文翻译邻近频道干扰；喷溅；飞溅；焊接瘤；焊接溅射物；溅射；喷射；阴极溅镀
"マグネトロン" 中文翻译 : (英) magnetron 放出极超短波的真空管
"マグネトロンストラッピング" 中文翻译 : 磁控管阶梯式绕带
"くうどうマグネトロン" 中文翻译 : 空腔谐振磁控管；谐振腔磁控管
"しんこうはマグネトロン" 中文翻译 : 行波磁控管
"たちばな形マグネトロン" 中文翻译 : 旭日式磁控管；复腔磁控管；桔型磁控管
"にぶんかつマグネトロン" 中文翻译 : 分瓣阳极磁控管
"イオンマグネトロン" 中文翻译 : 离子磁控管
"キャビティマグネトロン" 中文翻译 : 空腔谐振磁控管；谐振腔磁控管
"スロットマグネトロン" 中文翻译 : 开槽磁控管
"パルスマグネトロン" 中文翻译 : 脉冲磁控管
"ビームマグネトロン" 中文翻译 : 电子注磁控管；射束磁控管
"プレーナマグネトロン" 中文翻译 : 平面磁控管
"ボーアマグネトロン" 中文翻译 : 玻尔磁控管
"マグネトロンはっしんき" 中文翻译 : 磁控管振荡器
"マグネトロンパルサ" 中文翻译 : 磁控管脉冲发生器
"マグネトロンプリング" 中文翻译 : 磁控管频牵
"マグネトロン型進行波管" 中文翻译 : 磁控管式行波管；磁控管型行波管
"マグネトロン発振器" 中文翻译 : 磁控管振荡器
"マグネトロン電源装置" 中文翻译 : 磁控管电源
"二分割マグネトロン" 中文翻译 : にぶんかつ magnetron分瓣阳极磁控管。
"多空胴マグネトロン" 中文翻译 : たくうどう magnetron多腔磁控管。
"矢車形マグネトロン" 中文翻译 : やぐるまがた magnetron翼形磁控管。
"マグネトロール" 中文翻译 : 磁放大器

例句与用法

後者のターゲットの場合，ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜した。
使用后者的靶材时，研究人员利用ＲＦ磁控溅射装置进行了成膜。
前者のターゲットの場合，ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜した。
使用前者的靶材时，研究人员利用ＤＣ磁控溅射装置进行了成膜。
ＡｌＮの成膜は平行平板型のＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）マグネトロンスパッタリング装置を用いた。
ＡｌＮ的成膜使用平行平板型ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）磁控溅射装置。
酸化チタニウムフィルムは，大きな気泡を有する羽状構造を生成する条件下で反応性マグネトロンスパッタリングで調製した。
把氧化钛薄膜在生成具有大气泡的羽状构造的条件下，以反应性磁控管溅射方式进行了预制。
ＣｏＰｔ／Ｒｕ薄膜は，ＵＨＶ?ＤＣ，ＲＦマグネトロンスパッタリング装置（ＡＮＥＬＶＡ社製）を用いて，４ｉｎｃｈΦのＳｉ基板上に成膜した。
ＣｏＰｔ／Ｒｕ薄膜利用ＵＨＶ－ＤＣ、ＲＦ磁控溅射装置（ＡＮＥＬＶＡ公司制造），在４ｉｎｃｈΦ的Ｓｉ底板上成膜。
マグネトロンスパッタリングを採用して自立型ＣＶＤダイヤモンド厚膜表面にＺｎＯ薄膜を合成し、温度変化によるその生長特性と発光特性の変化状況を研究した。
采用磁控溅射在自持ＣＶＤ金刚石厚膜的成核面上制备了ＺｎＯ薄膜，并实验研究了其生长特性和发光特性随温度的变化情况．
鏡面研磨チタンの代替材料として，スライドグラスにマグネトロンスパッタリング法（有機ハイブリッド薄膜形成装置，ＵＬＶＡＣ）を用いて，チタンをコーティングした試料を用いた。
作为镜面抛光钛的代替材料，使用了在载玻片上以磁控溅射法（有机杂化薄膜成形装置，ＵＬＶａｃ）涂覆了钛的样本。
マグネトロンスパッタリング法を用いて窒素ドープ系とＡｌドープ系Ｚｎ＿（０．９３）Ｃｏ＿（０．０７）Ｏ薄膜材料を作製し、試料の構造と磁気を調べ、強磁性の生成機構を検討した。
采用磁控溅射方法制备了氮掺杂的Ｚｎ＿（０．９３）Ｃｏ＿（０．０７）系列和Ａｌ掺杂的Ｚｎ＿（０．９３）Ｃｏ＿（０．０７）薄膜样品，系统研究了样品的结构、形貌及磁学性能，讨论了样品中铁磁性的产生机制．
あらかじめ表面研磨にて平坦化されたＮｉＦｅ電極の上に，ＴＭＲ積層膜としてＴａ／ＮｉＦｅ／ＰｄＰｔＭｎ／ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅ／ＡｌＨｆ／自然酸化／ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／ＴａをＤＣマグネトロンスパッタにて成膜した。
研究人员在预先通过表面研磨平坦化的ＮｉＦｅ电极上，利用ＤＣ磁控溅射形成了Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＰｄＰｔＭｎ／ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅ／ＡｌＨｆ／自然氧化／ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／Ｔａ做为ＴＭＲ积层膜。
Ｃｏ系ホイスラー合金Ｃｏ２Ｃｒ０．６Ｆｅ０．４Ａｌ薄膜について，表面平坦性に優れ，かつ，エピタキシャル成長を実現する方法として，単結晶ＭｇＯ基板上に室温でＣＣＦＡ薄膜をマグネトロンスパッタ法により堆積し，その後５００℃から６００℃の温度においてアニールを施す方法が有効であることを示した。
对于Ｃｏ类Ｈｅｕｓｌｅｒ合金Ｃｏ２Ｃｒ０．６Ｆｅ０．４Ａｌ薄膜，作为制作表面平坦性优秀且能够实现外延成长的方法，在室温下利用磁控溅射法在单晶ＭｇＯ底板上堆积ＣＣＦＡ薄膜，然后在５００℃到６００℃的温度下进行退火的方法被证明是有效的方法。