メモリセル中文是什么意思

• 存储单元

• "メモリ"中文翻译    存储器；记忆；存储；存储器（元件）；记忆装置
• "セル"中文翻译    电池；网络；单元；地址；小室；隔室
• "ダミーメモリセル" 中文翻译 :    虚拟（空闲）存储单元
• "アクティブメモリセル" 中文翻译 :    有源存储元件
• "スタティツクメモリセル" 中文翻译 :    静态存储单元
• "ダイナミックメモリセル" 中文翻译 :    动态存储单元
• "カルーセルメモリ" 中文翻译 :    转盘式磁带存储器
• "コアメモリセンスアンプ" 中文翻译 :    磁芯存储读出放大器
• "フリーメモリセレクタ" 中文翻译 :    存储空闲区选择器
• "メモリセレクトボタン" 中文翻译 :    存储器选择按钮
• "セルフスキャンメモリ" 中文翻译 :    自扫描存储器
• "メモリ" 中文翻译 :    存储器；记忆；存储；存储器（元件）；记忆装置
• "いみメモリ" 中文翻译 :    语义存储器
• "しゅメモリ" 中文翻译 :    主存储器
• "じつメモリ" 中文翻译 :    实在存储器
• "キーメモリ" 中文翻译 :    键存储器
• "コア?メモリー" 中文翻译 :    koa.memori- 〈電算〉磁心存贮器cíxīn cúnzhùqì.
• "コア·メモリー" 中文翻译 :    【core memory】〔计算机〕磁芯存储器(以磁芯作存储元件，可存储二进制数)。
• "コアメモリ" 中文翻译 :    磁芯存贮器
• "ホトメモリ" 中文翻译 :    光存储器
• "マスメモリ" 中文翻译 :    大容量存储器
• "メモリほご" 中文翻译 :    存储保护
• "メモリアル" 中文翻译 :    纪念(的)，纪念物，纪念品，纪念碑
• "メモリキー" 中文翻译 :    存储键
• "メモリバス" 中文翻译 :    メモリーバスmemory bus存储总线。

• 閾値電圧を変更するためのスイッチはメモリセルに使用されるゲート幅の１２倍のスイッチを使用した．
  关于更改临界值电压的开关，使用了相当于存储器单元栅宽１２倍的开关。
• Ａｃｔｉｖｅ信号を制御することによりメモリセルのバックゲート電圧を動的に変更し閾値電圧を変更する．
  通过控制ａｃｔｉｖｅ信号，动态更改存储器单元的背栅电压，进而更改临界值电压。
• 多品種の混載ＤＲＡＭモジュールをマージンの高いメモリセルを使って設計する米国ベンチャーなども現れた．
  美国也出现了使用昂贵保证金的存储单元来设计多品种混载ＤＲＡＭ组件的技术开发企业等。
• Ａｃｅｌｌ自体は一つのｂｏｏｌｅａｎ値を保持するメモリセルで，現モデル候補に対応する（しない）Ａｃｅｌｌはその値が真（偽）となっている．
  Ａｃｅｌｌ本身是一个具有ｂｏｏｌｅａｎ值的存储传感器，与现在的候补模型相对应（不对应）的Ａｃｅｌｌ其值是真（伪）的。
• Ｄ　ＬＣは，選択されたメモリセルのＮウェルとＰウェルのバイアス電圧を動的に変更することによりアクセスされていないメモリセルのリーク電流を小さく抑えることができる．
  动态更改所选的存储器单元的Ｎ型与Ｐ型偏向电压，ＤＬＣ可以将未被访问的存储器单元的漏电流控制到最小。
• Ｄ　ＬＣは，選択されたメモリセルのＮウェルとＰウェルのバイアス電圧を動的に変更することによりアクセスされていないメモリセルのリーク電流を小さく抑えることができる．
  动态更改所选的存储器单元的Ｎ型与Ｐ型偏向电压，ＤＬＣ可以将未被访问的存储器单元的漏电流控制到最小。
• ところがメモリ容量が少ないオンチップシステムへの応用を考えた場合，相互結合網部分のチップ面積がメモリセル部分のチップ面積と比較して相対的に大きくなる危険性がある。
  但是考虑到其在存储容量少的芯片级系统中的应用，将相互结合网部分的芯片面积和存储单元部分的芯片面积进行比较，则可发现它有相对增大的危险。
• ＣＰＵが分岐命令またはジャンプ命令を実行しブロック４にアクセスした場合，ブロック４と１４のメモリセルの閾値電圧が低く設定され，それ以外のメモリブロックは高い閾値電圧に設定される．
  ＣＰＵ执行分歧命令或快捷命令，访问存储块４时，存储块４与１４的存储器单元的临界值电压被调低，此外的存储块被设定为高临界值电压。
• 同時にリーク電流密度は約５．８×１０＾｛?８｝Ａ／ｃｍ２＠±６６ｋＶ／ｃｍ（±１Ｖ）と十分低い値が得られ，強誘電体メモリセルキャパシタ用途としても適用可能と考えられた。
  同时，漏电流密度获得了相当低的数值，约为５．８×１０＾｛－８｝Ａ／ｃｍ２＠±６６ｋＶ／ｃｍ（±１Ｖ），估计也能适用于铁电存储器单元的电容器。
• ポストベイク後に得られたＰＺＴ薄膜のリーク電流密度は±６６ｋＶ／ｃｍ（±１Ｖ）において約５．８×１０＾｛?８｝Ａ／ｃｍ２と十分低い値が得られ，強誘電体メモリセルキャパシタ用途として適用可能と考えられる。
  后烘后得到的ＰＺＴ薄膜的漏电流密度在±６６ｋＶ／ｃｍ（±１Ｖ）时约为５．８×１０＾｛－８｝Ａ／ｃｍ２，得到的值足够低，因此可以认为能够适用于铁电存储器中的单元电容器。

• メモリセルの英語memory cell