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ランダムアクセスメモリ中文是什么意思

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用"ランダムアクセスメモリ"造句"ランダムアクセスメモリ"中国語の意味

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  • 随机存取存储器

例句与用法

  • 強誘電体ランダムアクセスメモリー(FeRAM)は第二世代のメモリーとして期待されている。
    强诱电体的半导体记忆储存器(FeRAM)第二代受到关注。
  • 強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる強磁性トンネル接合膜(MTJ)をメモリセルとする磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)は,情報の不揮発性,ほぼ無限の書き換え可能回数,高速書き込み読み出しといった従来のメモリには無い特徴を有する。
    把由强磁性层/绝缘层/强磁性层组成的强磁性隧道结膜(MTJ)作为内存单元的磁随机存取存储器(MRAM)具有信息非易失性、接近无限的可改写次数、高速写入读取等以往内存没有的特征。
  • 磁気的トンネル接合をメモリセル構成要素とする磁気的ランダムアクセスメモリ(MRAM)はこのようなスピントロニクスの代表的なデバイスの一つであり,不揮発,高速,高集積,ほとんど無限回の読み出し/書込み耐性を特徴として有し,次世代のメモリとして活発に研究が展開されている。
    把磁隧道结作为存储单元组成要素的磁随机存取存储器(MRAM)是此类自旋电子学的代表元件之一,MRAM具有非易失、高速、高集成、近无限次读取/写入耐受性的特征,作为新一代内存,与其相关的研究正在被积极开展。
用"ランダムアクセスメモリ"造句  

其他语种

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