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发射极的日文

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"发射极"の意味用"发射极"造句

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  • （トランジスターの）エミッター.

例句与用法

  • ＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠規則（１８）はエミッタフォロワー回路（図８）を定義している．
    ＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠规则（１８）中定义了发射极跟随器电路（图８）。
  • ＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠規則（１７）は図７のコモンエミッタ（エミッタ接地）回路を定義している．
    ＠ｅｑｕａｔｉｏｎ＿０＠规则（１７）定义了图７的共射极（发射极接地）电路。
  • サンプル解析と回路シミュレーションはエネルギーによるＬＮＡ内部トランジスタのベース極／発射極金属化損傷を表した。
    样品解削和电路仿真显示能量作用使ＬＮＡ内部晶体管出现基极／发射极金属化损伤，基极金．
  • また，ＨＢＴはＩｎＧａＰをエミッタに使うと信頼性に優れることから，ＡｌＧａＡｓ系にかわるものとして，量産化がすすんできた。
    另外，ＨＢＴ将ＩｎＧａＰ用于发射极时，可靠性好，因此作为ＡＬＧａＡｓ系列的替代品，批量生产的进程正在加快。
  • ソース，ドレイン不純物層の活性化とエミッタ領域を形成する熱処理条件を一致させ，同時に処理をすることで，両デバイスの性能維持を可能とした。
    使提高源、漏杂质层的活性和形成发射极区域的热处理条件一致，同时进行处理，能够保持两器件的性能。
  • “選択エミッタ型太陽電池の規模化生産技術”は中国の“十五個”８６３計画のエネルギー技術領域に、代替エネルギー技術分野での革新的な成果である。
    ”选择性发射极太阳电池规模化生产技术”是国家”十五”８６３计划能源技术领域后续能源技术主题创新课题成果．
  • ＧＰ大信号模型およびそのパラメータ取得方法に対して研究を行い、２μｍ×１９μｍ発射極スケールのＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ　ＨＢＴに対して模型構築を行った。
    对ＧＰ大信号模型及其参数提取方法进行了研究，并对发射极尺寸为２μｍ×１９μｍ的ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ　ＨＢＴ进行了建模．
  • 次にＣＭＯＳウエル領域，ゲート酸化膜を形成し，ＬＤＤソース?ドレインエックステンション層を形成後，ＳｉＧｅエピタキシャル層，ベース，エミッタポリＳｉ層等のＳｉＧｅ　ＨＢＴの主要部を形成する。
    然后形成ＣＭＯＳ阱区域，门氧化膜，形成ＬＤＤ源、漏扩充层后，形成ＳｉＧｅ外延层，基极，发射极聚Ｓｉ层等ＳｉＧｅ　ＨＢＴ的主要部分。
  • 該プロジェクトの目標は独自な知的所有権を持ち、規模化生産のできる新型な高効率の太陽電池?選択エミッタ型太陽電池技術の開発をし、現有のシリコン型太陽電池の光電気転換効率と生産効率を向上することである。
    课题目标是研究开发具有自主知识产权，能用于规模化生产的一种新型高效太阳电池技术――选择性发射极太阳电池技术，提高现有晶体硅太阳电池的光电转换效率和生产效率．
  • 回路上の対象の指示を簡潔に行うため，曖昧さの生じないものは機能ブロック名をそのまま用いたのであるが，「エミッタフォロワの入力インピーダンスは高い．」のように，一般概念の説明と区別のできないような文も生成されている．
    为了简洁地指示电路中的对象，不产生模糊性的是直接使用了功能块名的句子，不过也会生成不能区别于一般概念解释的句子，如“发射极跟随器的输入阻抗比较高”。
  • 更多例句：  1  2
用"发射极"造句  

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