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集电极的日文

发音:  
"集电极"の意味用"集电极"造句

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  • 〈電〉コレクター.

例句与用法

  • 最大コレクター不純物濃度と最大Kirk電流密度はすべてδ不純物層に依存する。
    最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.
  • ベース層,コレクタ層をSiGeエピタキシャル層で形成することを除いて,Siバイポーラトランジスタと同一のプロセスを用いられる。
    除了在SiGe外延层形成基层和集电极层外,采用与Si双极晶体管相同的工艺。
  • まず,Si基板上にコレクタ埋め込み層(n+ buried Layer)を形成し,Siエピタキシャル層を堆積後,素子分離を行う。
    首先,在Si基板上形成集电极埋入层(n+ buried Layer),堆积Si外延层后,进行元件分离。
  • ベース電流及びコレクタ電流のideality factorはそれぞれ1.15,1.08で,電流増幅率(hFE)は約300が得られている。
    基电流和集电极电流的ideality factor分别是1.15,1.08,电流放大率(hFE)约300。
  • 次にベース電流が入力となること,コレクタと節点Vm間の電圧が出力となること,これらの電流,電圧が因果関係をなすこと,電圧利得が高いことを加えている.
    接下来添加如下情况:基极电流成为输入,集电极和接头Vm之间的电压成为输出,这些电流、电压形成因果关系,电压增益较高。
  • リストの要素resistor(r1,2,10)は節点2と節点10につながる抵抗器r1を,npnTr(q1,3,5,6)はベースが節点3に,エミッタが節点5に,コレクタが節点6につながるNPNトランジスタq1を,terminal(t1,3)は節点3につながる外部端子t1を表している.
    列表中的元素resistor(r1,2,10)表示连接在接头2和接头10之间的电阻器r1,npnTr(q1,3,5,6)表示基极在接头3、发射极在街头5、集电极在接头6的NPN晶体管q1,terminal(t1,3)表示与接头3相连的外部接头t1。
用"集电极"造句  

其他语种

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