ウェハ造句
例句与造句
- そして，ウェハーをＣｒマスクに当てる事で，光軸に対してウェハーを垂直にする。
因此，通过使晶圆与Ｃｒ掩膜接触，可以使晶圆与光轴垂直。 - そして，ウェハーをＣｒマスクに当てる事で，光軸に対してウェハーを垂直にする。
因此，通过使晶圆与Ｃｒ掩膜接触，可以使晶圆与光轴垂直。 - 但し，オンウェハでの測定のため，高周波プローブや入出力に長いケーブルが必要である。
了进行晶元测量，需要高频探针和输入输出长的电缆。 - 基板は通常のウェハホルダの替わりに，傾斜回転ステージに取り付けた。
底板取代通常的晶圆承座安装在倾斜旋转台上。 - 一般的なウェハーチャックの裏側は球面すり合わせ構造になっている。
普通晶圆吸盘的内侧为球面磨合结构。 - It's difficult to find ウェハ in a sentence. 用ウェハ造句挺难的
- レジストの側壁が垂直に形成できた理由は，光軸に対してウェハーチャックが垂直な事である。
光刻胶的侧壁能够垂直地形成的理由在于晶圆吸盘与光轴垂直。 - なお，ＤＥＨＰのほかに，シリコンウェハーに吸着しやすい物質とされるＤＢＰ，ＤＥＨＡが検出された。
另外，除ＤＥＨＰ之外，也检测到容易吸附到硅胶管上物质ＤＢＰ、ＤＥＨＡ。 - まず均一なレジスト膜を平面ウェハにスピンコートして用意し，位相シフトマスクから離して露光した。
首先，准备旋转涂布了均匀光刻胶膜的平面晶圆，使其离开相移掩膜，进行了曝光。 - そのため，ウェハ内の充填歩留り（孔総数に対する良好な孔数の割合）は，５０％程度と大変低かった。
因此，晶圆内的填充成品率（良好孔的数量相对于孔总数的比例）非常低，为５０％左右。 - 最後に各電極を分離するためにガラス?１の上面を浅くダイシングした後に，ウェハはチップに分割される。
最后，以分离各电极为目的，在玻璃－１的上表面进行浅划片后，晶圆被分割为芯片。 - 上下２点支持の構造であるため，スイング式やウェハー式に比べ，高い耐久性と安全性?静音性に優れる。
由于采用上下两点支撑的结构，与转动式或薄片式相比使用寿命长，安全可靠，噪音非常小。 - 板厚２００μｍのシリコンウェハの場合，エッチング時間は９５分であり，残留シリコン厚が２０μｍ以下になるまで行った。
对于板厚２００μｍ的硅晶圆，蚀刻时间为９５分钟，在残余硅厚度达到２０μｍ以下之前进行。 - まず両面酸化膜の形成された，表面が（１００）面のシリコンウェハ両面にフォトレジストをスピンコーターを用いて塗布する。
首先，在两面形成了氧化膜，表面为（１００）面的硅晶圆的两面使用旋转涂布机涂布光刻胶。 - しかし，この方式は図７（ｂ）に示すようにウェハーの一部分のみがマスクに当たり，ウェハーが光軸に対してわずかにずれやすい。
但是，如图７（ｂ）所示，使用该方式时，晶圆只有一部分接触掩膜，晶圆相对于光轴容易偏移。 - しかし，この方式は図７（ｂ）に示すようにウェハーの一部分のみがマスクに当たり，ウェハーが光軸に対してわずかにずれやすい。
但是，如图７（ｂ）所示，使用该方式时，晶圆只有一部分接触掩膜，晶圆相对于光轴容易偏移。
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