mos电路造句
- 一种能熄MOS电路的多功能电格铁架。
- DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。
- 所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。
- 专长半导体器件设计及制造，现从事MOS电路制造及有关新工艺。
- Vdd,Vss在MOS电路中出现，和漏级（Drain），源极（Source）有关，也是一正一负。
- 将MOS电路的晶体管“嵌入“到互连线中，以提高芯片的布图密度。
- 大型电子记时记分仪上印制电路板的防护，MOS电路，微带型二极管的防潮。
- 静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。
- SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的，它没有电容放电造成的刷新问题。
- 1973年8月，霍夫等人研制出8位微处理器Intel 8080，以N沟道MOS电路取代了P沟道，第二代微处理器就此诞生。
- 用mos电路造句挺难的，這是一个万能造句的方法
- 简单的解释一下，CMOS中的C（Complementary）是指两种不同的MOS电路“N”电路和“P”电路之间的关系：它们是互补的。
- 所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的，它没有电容放电造成的刷新问题。
- CMOS电路的功耗比E／DMOS电路约低两个数量级，而E／DMOS电路的集成密度比CMOS电路约提高一倍，并且制造工艺简单。
- 集成电路的线宽通常可理解为所加工的电路图形中最小线条宽度，但在MOS电路中，人们也常栅极长度来定义线宽。
- 静电不仅会对计算机运行出现随机故障，误动作或运算错误，而且还会导致某些元器件，如CMOS、MOS电路，双级性电路等的击穿和毁坏。
- 工程的科研部分即集成电路研究中心，已于1 99 2年底建成，去年为M OS电路生产线开发新品1 6个，今年计划开发6 0个。
- 静电不仅会使计算机运行时出现随机故障、误动作或运算错误，而且还可能会导致某些元器件，如CMOS、MOS电路、双级性电路等的击穿和毁坏。
- 只要根据“输入三态，输出锁存”的原则，选择74系列的TTL电路或MOS电路就能组成简单的扩展电路，如74LS244、74LS273、74LS373、74LS377等芯片都能组成输入、输出接口。
- E／DMOS电路和CMOS（互补金属-氧化物-半导体）集成电路是MOS（金属-氧化物-半导体）大规模集成电路中比较好的两种电路形式，各具特点。
- MOS电路制造中，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断，调整阀值电压用的沟道掺杂，CMOS的阱形成及源漏区的形成，要采用离子注入法来掺杂。
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