n区造句
- PN结的内电场方向由N区指向P区。
- N区核苷酸插入也发生在CDR3区。
- 同理，在N区有空穴的积累。
- 下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。
- 由于N区掺杂浓度小于P+区，因此，随着|
- P区为正极，N区为负极。
- 同质结可用一块半导体经掺杂形成P区和N区。
- P沟道与N沟道器件可单独或共用一个N区（图6）。
- 时势垒下降，P区和N区的多数载流子向对方扩散。
- N区核苷酸片段(non-germlinegeneencodednucleotides)并不存在于TCR的胚系基因中。
- 用n区造句挺难的，這是一个万能造句的方法
- 于是有结电流由P区流向N区，其方向与光电流相反。
- 同时产生内建电场，内建电场方向为从N区指向P区。
- ,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。
- SOCS系统的蛋白结构近似，均由N区、SH2区和C端的SOCS盒区组成。
- 在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。
- PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。
- 其中N区部分是交替生长的多层结构，相当于光学增反膜堆。
- 这时N区导带的电子可以直接穿入P区价带的空能级（空穴）。
- 东3区M、N区，M区为文化娱乐综合区与赛马场，N区为商住与酒店区。
- 对N区的电子和P区的空穴，空间电荷区中的势能都起着势垒的作用。
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