にエッチング造句

• これを現像し，金とクロムをそれぞれ化学的にエッチングし，最後に残ったレジストをアセトンで除去した。
  使其显影，分别对金及铬进行化学蚀刻，最后用丙酮去除残留的抗蚀剂。
• 従って，寸法に大きな違いのある複数の構造を，同時に適切にエッチングすることは一般に極めて困難である。
  因此，一般来说，同时对尺寸上差异较大的多个结构进行适当的蚀刻极其困难。
• 次にエッチング方法を工夫して，ストレート形状のランセット，先端角度が様々に異なるランセットを作製した。
  然后，通过改进蚀刻方法，制作了直棒形状的刺血针、顶端角度各异的刺血针。
• 拡大図４?ｂに示すようにエッチングホールは，それに外接する長方形が，隣接するエッチングホールのものと重なるように設置している。
  如扩大图４－ｂ所示，蚀刻孔设置在其外接的长方形与相邻蚀刻孔的外接长方形重叠的位置。
• また，図５に示すように，ＣＦ４／Ｈ２の混合ガスを用いたときＨ２の流量比を増加させると，＋Ｚ面と?Ｚ面ともにエッチング速度は減少した。
  另外，图５所示，使用ＣＦ４／Ｈ２的混合气体时，提高Ｈ２的流量比后，＋Ｚ面和－Ｚ面的蚀刻速度均有所下降。
• 最後に，電極となるアルミニウム膜７００ｎｍを蒸着機により成膜，リン酸（Ｈ３ＰＯ４）系の薬液を用い，上部電極の形状にエッチングした。
  最后，利用蒸镀机形成作为电极的７００ｎｍ厚的铝膜，使用磷酸（Ｈ３ＰＯ４）类药液，将其蚀刻成了上部电极的形状。
• 磁気抵抗素子は，帯状にエッチングされたＩｎＳｂ薄膜の両端に端子電極を有し，中間部分には短絡電極（ショートバー電極）が製作された構造を有する。
  磁阻元件拥有在蚀刻为带状的ＩｎＳｂ薄膜的两端拥有端电极，中间部分形成了短路电极（短路棒电极）的结构。
• 本手法は，副次効果として，同時にエッチングする領域の開口幅の違いをナノメートルスケールからＷ（凡そ５μｍ）までに制限することで，エッチング終了時間の開きを自動的に抑えている。
  作为附带效果，本方法通过把同时被蚀刻的区域的开口宽度限制在纳米尺度到Ｗ（大致为５μｍ），从而自动控制了蚀刻结束时间的差别。
• 図４より，ＣＦ４／Ａｒの混合ガスを用いたとき，Ａｒの流量比を増加させると，＋Ｚ面と?Ｚ面ともにエッチング速度は流量比４０％まで増加し，更に流量が増すと速度は減少した。
  如图４所示，使用ＣＦ４／Ａｒ的混合气体时，提高Ａｒ的流量比后，在流量比达到４０％之前，＋Ｚ面和－Ｚ面的蚀刻速度都将上升，进一步加大流量后，速度有所降低。
• シリコン構造体は，並行平板ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）およびＤｅｅｐ?ＲＩＥを用いて２種類のドライエッチング方法（等方性エッチング，異方性エッチング）を組み合わせ，シリコン基板の両面からそれぞれ２段階にエッチングを行うことにより形成される。
  硅结构体是使用平行板ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）以及Ｄｅｅｐ－ＲＩＥ，通过组合２种干法蚀刻方法（等方性蚀刻，各向异性蚀刻），从硅片两面各进行２阶段蚀刻而形成的。
• ＡｌＮ膜は，ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ　Ｍｅｔｈｙｌ　Ａｍｍｏｎｉｕｍ　Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）系の薬液を用いアクチュエータ形状にエッチングを行い，ポリシリコンは，平行平板型のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いフッ素系のガスを用いエッチングをおこなった。
  ＡｌＮ膜利用ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ　Ｍｅｔｈｙｌ　Ａｍｍｏｎｉｕｍ　Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）类药液，蚀刻成驱动器形状，多晶硅利用平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置，使用氟类气体进行了蚀刻。