エッチング造句

• そのため下面からのエッチングやエッチングせず基板を残す構造が多い。
  为此，从下表面的蚀刻和不进行蚀刻保留基板的结构较多。
• そのため下面からのエッチングやエッチングせず基板を残す構造が多い。
  为此，从下表面的蚀刻和不进行蚀刻保留基板的结构较多。
• また表面からエッチングして底面を残すことで実装が格段に容易になる。
  另外，通过从表面进行蚀刻，保留底面，组装会变得容易的多。
• ＡｌとＳｉＯ２　ｌａｙｅｒをエッチングして，カンチレバーをリリースする。
  对Ａｌ和ＳｉＯ２　ｌａｙｅｒ进行蚀刻，释放悬臂梁。
• 後のプロセスはシリコンドライエッチングと犠牲層エッチングによるリリースである。
  之后的工艺是利用硅干法蚀刻和牺牲层蚀刻的释放。
• 後のプロセスはシリコンドライエッチングと犠牲層エッチングによるリリースである。
  之后的工艺是利用硅干法蚀刻和牺牲层蚀刻的释放。
• 個々のエッチングホールが，それぞれ［１１０］方向に平行な方形に溶解していく。
  各个蚀刻孔分别熔化为平行于［１１０］方向的方形。
• これは熱混酸処理によるグラファイトエッチングによるものだと考えられる。
  可以认为这是基于热混酸处理的石墨蚀刻的作用。
• ?Ｚ面のほうが＋Ｚ面よりエッチング速度が２倍程度大きいことがわかった。
  结果显示，－Ｚ面与＋Ｚ面相比，蚀刻速度较大，为２倍左右。
• エッチングチャンバの概略図とプラズマ生成に関わるパラメータを図９に示す。
  刻蚀腔体的概略图和与等离子体生成相关的参数如图９所示。
• エッチング廃液からの銅の回収は，資源の再利用の観点から重要である。
  从蚀刻废液中回收铜对于资源循环利用来说很重要。
• まずガラスウエハ上にウェットエッチングを用いてキャビティを作製する。
  首先，在玻璃晶圆上利用湿法蚀刻制作出空腔。
• ダイヤフラムは裏面からシリコンを異方性エッチングして作製される。
  膜片是从背面对硅进行各向异性蚀刻制作的。
• 燃料流路はフォトリソグラフィーによるパターン転写後，湿式エッチングによって形成する。
  燃料回路在通过光刻进行图案转录后，通过湿蚀刻刻形成。
• Ｖ溝は別の＜１００＞シリコン基板のＫＯＨでの等方性エッチングで作った。
  Ｖ沟是通过用ＫＯＨ在其它＜１００＞硅基板上进行各向同性蚀刻制作的。
• そして，Ａｒスパッタエッチングにより，パターニングを行った。
  然后，通过Ａｒ溅射蚀刻，形成了图案。
• （ｃ）スパッタによってＣｒを堆積させ，通電層パターンを転写，Ｃｒをエッチングする。
  （ｃ）通过溅射，使Ｃｒ沉积，再复制通电层图案，对Ｃｒ进行蚀刻。
• そのため，ウェットエッチングに対する耐性が高いことから，マスクとしての機能を果たすことができる。
  因此，对于湿法刻蚀的耐受性高，可以发挥掩膜的功能。
• 次は，ＫＯＨ水溶液でＳｉの結晶面異方性エッチングでＶ?ｇｒｏｏｖｅを形成する。
  接着，利用ＫＯＨ水溶液，通过Ｓｉ的晶面各向异性蚀刻形成Ｖ－ｇｒｏｏｖｅ。
• 新規エッチングガスを用いた半導体微細加工プロセス
  采用新型蚀刻气体的半导体细微加工工序