エネルギーギャップ造句

• ) のエネルギーギャップに対応している。
• は超伝導におけるエネルギーギャップである。
• 似た用語としてエネルギーギャップ(Energy gap)がある。
• 結晶シリコンに比べてエネルギーギャップが大きいため、高温時も出力が落ちにくい特性を持つ。
• は超伝導体のエネルギーギャップ、Tは温度、Rは接合のトンネル抵抗、kはボルツマン定数である。
• この領域をエネルギーバンドと呼び、電子が取ることの出来ないエネルギー領域をエネルギーギャップと呼ぶ。
• 超伝導の特徴は、励起に対してエネルギーギャップが存在することである（注：ギャップレス、つまりギャップの存在しない場合もある）。
• 結晶シリコンと比較してエネルギーギャップが大きく、光吸収係数が高い、製膜が容易などの特徴を持ち、薄膜トランジスタや太陽電池などに応用される。
• エネルギーギャップの大きいアモルファスシリコンや一部化合物系の太陽電池では電圧低下の影響が少ないため、モジュールが高温になる地域では有利になる。
• このため光学的なエネルギーギャップと電気的なエネルギーギャップに違いが生じ、光学的には局在準位から局在準位への遷移が可能になり、電気的なエネルギーギャップよりもみかけのギャップが小さくなる。
• このため光学的なエネルギーギャップと電気的なエネルギーギャップに違いが生じ、光学的には局在準位から局在準位への遷移が可能になり、電気的なエネルギーギャップよりもみかけのギャップが小さくなる。
• このため光学的なエネルギーギャップと電気的なエネルギーギャップに違いが生じ、光学的には局在準位から局在準位への遷移が可能になり、電気的なエネルギーギャップよりもみかけのギャップが小さくなる。
• とりわけ低温度に近づくにつれ、エネルギーギャップが生じ、フェルミ面がギャップ中に埋もれてしまうことに起因し電気的特性の温度依存性が半導体（あるいは絶縁体）的に振舞う相領域におけるものを近藤絶縁体という。
• 固体電子論（バンド理論）では、バンド構造におけるバンドとバンドの間の隙間を指す（広義のバンドギャップとほぼ同じ意味合いとなる）が、それ以外の意味をもつ場合がある（例：超伝導におけるエネルギーギャップなど）。