ガリウムヒ素造句

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ガリウムヒ素など、III-V族半導体の主要な材料である。
クレイは、Cray-2 でガリウムヒ素を使うつもりだった。
ガリウムヒ素（GaAs）半導体をコンピュータに初めて大々的に利用した。
ガリウムヒ素（ガリウムひそ、Gallium Arsenide）はガリウムとヒ素の化合物。
CVDでも作られ、その高純度性からガリウムヒ素などの化合物半導体用坩堝に用いられている。
ガリウムヒ素が未来の半導体と長年言われながらなかなか普及しないのには、そういう原因もある。
ガリウムヒ素はスイッチング速度が速いだけでなく、エネルギー消費が少ないため発熱も少なくて済む。
ガリウムヒ素等の化合物半導体では、素子間の分離(アイソレーション)にイオン注入を用いる場合がある。
直接遷移の代表的な半導体はガリウムヒ素であり、発光ダイオードやレーザーダイオードに利用されている。
しかし、ガリウムヒ素はそれ自体に毒性があり、シリコンのように安価で安全に製造できないという問題がある。
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最終的にガリウムヒ素集積回路メーカーである GigaBit Logic に投資し、同社をチップ供給業者とした。
高密度実装するため、ガリウムヒ素のチップはパッケージングされず、4"x4" の基板に直接金でボンディングされた。
III-V族半導体であるガリウムヒ素 (GaAs) は、発光ダイオードや通信用の高速トランジスタなどに用いられている。
極超短波以上ではシリコンよりもキャリアの移動度が高いガリウムヒ素（GaAs）のような化合物半導体などを用いたFETが用いられている。
しかし、専門家の中には、将来ガリウムヒ素などの半導体が広く使われるようになれば、ECL が再び使われるようになると予測する者もいる。
実際に、これまでガリウムヒ素のFETが使用されていた、数GHzのアナログ回路でもシリコンのMOSを利用したものが製品化されてきている。
当時はガリウムヒ素の製造技術がスーパーコンピュータに使えるレベルではなかったので実現しなかったが、1980年代中頃には状況が変わり、クレイは迷わずそれを選択した。
シリコン、ガリウムヒ素等の半導体ウェハー上にフォトレジストと呼ばれる感光性有機物質を塗布し、ステッパーと呼ばれる露光装置を用いて、レチクルと呼ばれるフォトマスクに描かれた素子?回路のパターンを焼き付ける。