共格界面造句

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部分共格界面在马氏体转变及外延生长晶体中较常见。
对于共格界面，这是唯一的附加能量γ共格=γ化学。
（2）半共格界面对于半共格界面，需要引进点阵失配度的概念。
在半共格界面上，它们的不匹配可由刃位错周期地调整补偿（图6-32）。
在共格界面理论中，主要分为共格界面、半共格界面和非共格界面三种类型。
一般的说，两种任意取向的晶体沿任意面结合时就可能得到非共格界面，如图6-34所示。
（1）共格界面界面质点同时处于两点阵的结点上，将构成共格界面，其界面模型如图6-28所示。
均匀合金脱溶分解初期形成的新相，或两相点阵常数相近,或晶体结构相同时,往往具有共格界面。
对于较大的原子失配度(0.05≤δ≤0.25)，从能量角度而言，以半共格界面代替共格界面有时能量会更低。
（3）非共格界面当点阵失配度较大，如δ=0.25，则每隔4个面间距就有一个位错，从而导致位错心周围失配的区域重叠。
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在孪晶面上的原子同时位于两个晶体点阵的结点上，为两晶体所共有，自然地完全匹配，使此孪晶面成为无畸变的完全共格界面。
对于半共格界面模型，可以认为在界面上除了位错心附近外，其他位置几乎完全匹配，在位错心附近的结构是严重扭曲并且点阵面是不连续的。
非共格界面的结构描述将更为复杂，但它们和大角晶界结构仍有许多共同的特征，例如，它们的能量都很高(大约在500-1000mJ／m2)，界面能对界面取向都不敏感等。
半共格界面的界面能可以近似地认为由两部分组成：一项是共格界面的化学项γ化学，另一项是结构项γ结构，它是由失配位错产生的结构扭曲而引起的额外能量，于是：γ半共格=γ化学+γ结构(6-52)根据布鲁克(Brooks)的理论，晶格畸变能W可用下式表示：（6-53）式中：δ为失配度，是柏氏矢量，G是剪切模量，是泊松比，,r0是与位错线有关的一个长度。