势垒注入造句

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BARITT二极管由于其势垒注入的相位延迟要小于雪崩注入的，所以这种二极管的输出功率和转换效率都低于IMPATT二极管(在10GHz时约低2个数量级)；但是BARITT二极管中无雪崩倍增作用，则噪音低(要比IMPATT二极管的低两个数量级)，可用作为本振信号源。
器件工作的常态为截止状态(无沟道)，当源-漏电压Vds足够大(如-30V)时,漏结将发生雪崩倍增效应而产生出大量的电子-空穴对；其中空穴进入衬底,而部分高能电子可越过势垒注入浮栅；当浮栅所带的负电荷足够多时,即使得半导体表面反型而形成沟道,从而使MOS器件导通。
用势垒注入造句挺难的，這是一个万能造句的方法

其他语种

势垒注入的英语：barrier injection

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