化学机械抛光造句

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化学机械抛光中抛光垫作用分析
多层互连中的化学机械抛光工艺
铁氰化钾化学机械抛光液中的腐蚀与钝化
基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型
其次,设计包含低压淀积氮化硅和化学机械抛光( cmp )等关键步骤的新的soi介质隔离工艺流程。
适合钽酸锂晶片化学机械抛光的抛光盘转速为n _ p = 60rpm ，工件盘中心到抛光盘中心的距离为e = 100mm 。
圆平动研抛( circularlytranslational - movingpolishing , ctp )是一种新型的化学机械抛光方式。 ctp能实现抛光所需要的最佳运动学条件,所以能得到比传统的cmp更好的加工效果。
集成电路( ic )制造工业中,化学机械抛光( chemicalmechanicalpolishing , cmp )广泛应用于计算机硬盘片、硅晶片超光滑无损伤表面的加工。
采用了机械抛光代替了手工抛光，解决了手工抛光造成的表面不均匀以及表面损伤层过厚的问题，并比较了机械抛光与化学机械抛光，初步摸索了合适的化学机械抛光工艺。
通过对钽酸锂晶片的化学机械抛光过程的实验研究，通过测量钽酸锂晶片在不同抛光条件下的表面粗糙度和材料去除率，详细分析了抛光垫材料和状态、抛光压力、抛光盘转速、磨料种类及粒度、抛光液组成等几个因素对抛光表面质量和材料去除率的影响规律。
用化学机械抛光造句挺难的，這是一个万能造句的方法
本论文通过对钽酸锂晶片的化学机械抛光过程的实验研究和抛光运动轨迹的理论分析，研究钽酸锂晶片的抛光加工特性，探讨钽酸锂晶片化学机械抛光机理，系统分析主要工艺参数对化学机械抛光过程的影响规律。