半绝缘造句

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高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料
半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷
掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响
半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法
半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法
这种梯子最早的设计理念来自美国，为半绝缘式设计。
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级el2浓度红外吸收测试方法
半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体
然而到目前为止，没有一种完善的理论模型，能对半绝缘gaas光电导开关中发现的lock - on效应进行较全面的解释。
用半绝缘造句挺难的，這是一个万能造句的方法
另外，目前普遍认为非掺si - gaas单晶的半绝缘特性是浅受主碳和深施主el2相互补偿的结果。
液封直拉法生产的半绝缘砷化镓单晶( lecsi - gaas )被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料，成为当代信息产业的重要材料之一。
本文建立了一套阈值电压自动测试系统，可对半绝缘gaas单晶上制作的mesfet器件的阈值电压进行自动测量，并给出阈值电压的测量数据，作出阈值电压的mapping图，计算阈值电压的统计平均值、标准偏差等。
本课题采用离子注入的方法将不同剂量的mn ~ +注入到非掺杂半绝缘( 100 ) gaas单晶衬底中，然后进行不同温度和时间的快速热退火处理，研究了不同的退火条件对样品注入层的晶体结构、电特性和磁特性的影响以及mn ~ +在样品中的存在状态与这些性质之间的关系。
目前，液封直拉技术生长gaas单晶获得了广泛关注，因为它能够以合理的成本生产大直径的半绝缘单晶。半绝缘材料是生产集成电路等微电子器件的良好材料，而这种应用就要求整个晶片具有很高的均匀性。
以液封直拉半绝缘gaas为衬底的金属半导体场效应晶体管( mesfet )器件是超大规模集成电路和单片微波集成电路广泛采用的器件结构，因此研究lec法生长si - gaas ( lecsi - gaas )衬底材料特性对mesfet器件性能的影响，对gaas集成电路和相关器件的设计及制造是非常必要的。
本文基于gaas等?族化合物半导体的转移电子理论，结合半绝缘gaas光电导开关中特有的lock - on效应的研究，提出了类似于耿畴(高场畴或偶极畴)的单极电荷畴理论模型，对光电导开关lock - on效应的各种现象给出了理论解释。
作者测试了半绝缘gaas光电导开关在线性、非线性以及从线性到非线性过渡的临界状态模式下输出的电脉冲波形，特别是反复测量了开关在临界状态下的偏置电场阈值和lock - on电场强度。
近些年来的科研和生产实践均表明，现行的常规参数，如位错密度、载流子浓度、迁移率等对表征半绝缘砷化镓材料的质量是不充分的，特别是不能反映材料质量与器件性能之间的关系。近期的科研成果证明， ab微缺陷与器件性能有直接的关系，而且ab微缺陷密度( ab - epd )是比位错密度更加敏感、更加重要的参数。
应用单极电荷畴模型数值计算了lock - on效应的光、电时间延迟和载流子的渡西安理工大学硕士学位论文越速度（丝状电流穿越开关间隙的速度），所得计算结果与实验测试结果基本吻a利川半绝缘gaas光屯导开关的超快光l匕11向应灯性，成功地应川下纳秒激光脉冲展宽试验中，证明了开关可厂泛应川在超快光电响应和光电反馈网络中。