发光中心造句

造句与例句手机版

发光中心高度
发光中心强度
荧光光谱、激光选择激发及发光动力学的研究表明铕配合物在sio _ 2基质中存在两种发光中心。
在光致发光测定中,我们得到了位于360nm和675nm的发光峰,并讨论他们的激发谱和发光中心。
它以铝酸盐陶瓷材料为基质，以稀土材料作为掺杂元素形成发光中心和陷阱中心，激发光源可以为目光或人造光源。
用不同能量激发zns时5d0 7f0与5d0 7f1发光分支比不同，表明激发能量对两类发光中心的激发具有选择性。
不掺sb的szoz与ax层中的发光中心发射的光子能量为2 zcv ，掺sb的sfloz与引x层中的发光中心发射的光子能量为1
低温下的激光选择激发光谱表明，处于纳米管壁内部的发光中心具有较为确定的格位对称性，其发射光谱具有清晰的光谱结构。
结果表明在硅基薄膜中掺入适量的金属(例如：铝) ，并使其以团簇的形式均匀弥散在薄膜中，有可能既不改变薄膜的发光中心，又可大大提高其发光效率。
4通过改变zns纳米晶制备过程中清洗的次数，比较了清洗前后发光强度的变化，分析了自激活发光中心在纳米晶中的分布状况，即自激活发光中心倾向于占据表面格位。
用发光中心造句挺难的，這是一个万能造句的方法
通过对上述薄膜的pl 、 ple以及el的分析，研究了此头薄膜中所存在的缺陷及发光中心，以及结构对发光的影响。着重讨论了掺铝对薄膜电致发光的启动电压、发光强度、发光效率的影响。
归纳起来，其发光机制以量子限制效应和发光中心两种模型为主；但就报道的结果而言，材料的发光特性都严重地依赖于样品的制备工艺过程，经不同的工艺过程制备的样品，其发光特性差别甚大。
它以铝酸盐陶瓷材料为基质，以稀土材料作为掺杂元素形成发光中心和陷阱中心，激发源可以为日光或人造光源，无污染，不消耗电能，是一种高效节能的固体发光显示材料。
通过afm 、 sem及ftir 、 xps对这两种多孔硅样品进行表面形貌和化学成分分析，采用发光中心（ lc ）量子限制效应的复合模型对上述修饰多孔硅的pl峰移现象进行了理论说明。
纳米氧化锌（ zno ）表面的钝化实际上是在氧化锌（ zno ）的核和表面之间形成了大的势垒阻止表面缺陷捕获光生电子或光生空穴形成发光中心vo * *和[ vo * ， electron ]或[ vo * * ， twoelectrons ]复合体，同时，提出了一种新的可见发光机制，很好地解释了实验中观察到的现象。
用不同的方法制备的51一5102薄膜、 ge一510 :薄膜和al一51一5102薄膜，在较低的电压万均观察到了室温可见电致发光现象，峰位都在510nm左右，其峰位不因薄膜样品内所含颗粒的种类、薄膜的制备方法、偏压及后处理的影响，表明电致发光主要来源于电子和空穴在510 、基质中的发光中心的辐射复合发光。
多年来，人们对多孔硅发光机理一直进行着坚持不懈的探讨和研究，提出了许多种解释多孔硅层( psl )发光的模型，典型的有下列几种：量子限制模型、硅-氢键或多硅烷( polysilanes )的发光、硅氧烯及其衍生物的发光、表面态模型和量子限制-发光中心模型。
这个陡的界面由于明显的晶格结构的差别而有较大的应力。界面的形成伴随着界面发光中心的增加，同时pl强度在l户800有一个大的增强。这个结果提示我们，界面上h 0 s工键断裂形成的nbohc应是蓝光发射的主要原因。
通过pecvd法与放电等离子体氧化技术结合获得了主峰位于蓝光波段的荧光带，而且具有分立峰结构，其结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关，起源于si - o结合特定组态而形成的发光中心。
就发光机制而言，除红光宽带外，均起源于氧、氮掺杂引起的缺陷发光中心，发光中心受杂质组态影响，红光宽带可能联系到量子限制效应，同时还依赖于界面特性。