基距造句

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通过正交试验法得到了实验条件下镀制smco薄膜最佳的工艺参数：靶-基距6cm 、功率80w 、 ar气压强1 . 1pa 。
然后利用双光束分光光度计测定了其透光率,研究了透光性能与各制备条件之间的关系,发现,随着工作气压、基片温度、靶基距的增大,薄膜的透光率有不同程度的增大;但透光率随着溅射时间的增加而呈近线性下降。
结果表明，对于zno薄膜，薄膜的择优取向性与衬底温度、溅射气压、靶基距等工艺参数有很大关系，而与氩氧比例的大小无明显的关系；而且在不同工艺参数条件下，薄膜的沉积速率也呈规律性变化。
通过对aln薄膜的研究发现，衬底温度、溅射功率、靶基距对aln薄膜的择优取向性和沉积速率的影响很大； aln薄膜样品的xps分析表明，薄膜中al和n基本上为理想配比；而且从aln薄膜样品的afm图中可以看出，不同厚度的薄膜的表面形貌和粗糙度有很大不同。
此外，靶基距对dlc薄膜的结构和性能也有一定的影响，随着靶基距增加， dlc薄膜中的sp ~ 3c含量减少， dlc薄膜的表面粗糙度降低，显微硬度降低，摩擦系数减小，残余应力减小，光学带隙eg减小。
第一、应用稳定的直流磁控溅射设备制备tio2减反射薄膜并通过n & kanalyzer1200薄膜光学分析仪、 x射线衍射分析( xrd ) 、扫描电子显微镜( sem ) 、 alpha - step500型台阶仪等仪器对薄膜进行表征,分析氧分压、总气压、工作温度、靶基距等制备工艺参数对薄膜性能结构的影响。
在薄膜沉积方面，利用高纯石墨作靶材，调整薄膜沉积过程中的靶基距(烧蚀等离子体密度、离子能量)和基片温度，研究实验工艺对hipib烧蚀等离子体方法制备的dlc薄膜的微观结构和宏观物理性能的影响，探讨了hipib烧蚀等离子体沉积dlc薄膜的成膜机理。
在bms450型磁控溅射镀膜机上优化出了制备sio _ 2薄膜的工艺参数范围，并揭示了气体流量、射频功率、靶基距、衬底温度、溅射气压等参数对薄膜沉积速率的影响规律。
由以上对azo薄膜的组织结构和光电性质的研究,我们得到了用直流反应磁控溅射法制备azo薄膜的最佳工艺条件为:氧氩比0 . 3 / 27 ,衬底温度200 ,工作压强5pa ,靶基距7 . 5cm ,功率58w ,退火温度400 。
用基距造句挺难的，這是一个万能造句的方法