多发射极晶体管造句
- 采用多发射极晶体管时，在多发射极之间须避免出现交叉漏电流。
- 多发射极晶体管具有较大的正向电流放大系数和较小的反向电流放大系数。
- 它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。
- 由多发射极晶体管作为“与门”，与倒相器兼跟随器串接，并最终推挽输出的逻辑集成电路。
- TTL电路输入端采用多发射极晶体管，不再象DTL电路输入端二极管组与电平位移二极管那样彼此孤立。
- 输入级采用多发射极晶体管，输出级采用简单的推拉输出（包括上推拉管T4、下推拉管T5和一个二极管）。
- 其基本单元电路由两部分组成：由共基极工作方式的多发射极晶体管与上拉电阻、下拉电阻构成输入级；由多发射极晶体管构成射极跟随器输出级。
- 在发射极功能逻辑基本单元电路中，输入级和输出级除共基和共集两只多发射极晶体管外，不包括任何反相器，这就保证了电路的高速度和良好的频率特性。
- 将DTL电路输入端的“与”门二极管组和电平位移二极管之一，改为多发射极晶体管，多发射极实现输入级“与”逻辑，输出级晶体管实现“非”逻辑，即成为TTL基本逻辑门电路的结构（图1）。
- 电路处于转换过程中，当输入端为低电平时,较大的正向电流放大系数能抽出较大的电流,使原来存储的多余载流子很快消失；当输入端是高电平时，较小的反向电流放大系数，使多发射极晶体管的反向漏电流最小，不致影响前一级高电平输出。
- 用多发射极晶体管造句挺难的，這是一个万能造句的方法
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