套刻精度造句

• 另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。
• 直接分步重复曝光系统(DSW)超大规模集成电路需要有高分辨率、高套刻精度和大直径晶片加工。
• 随着IC制造业的迅速发展，光刻成像技术不断提高，芯片的特征尺寸也不断的缩小，对套刻精度有了更高的要求。
• 该系列设备具有高分辨率、高套刻精度和高生产率等一系列优点，可满足用户对设备高性能、高可靠性、低使用成本(COO)的生产需求。
• 光刻工艺精细图形(分辩率，清晰度)，以及与其他层的图形有多高的位置吻合精度(套刻精度)来决定，因此有良好的光刻胶，还要有好的曝光系统。
• 以64千位MOS存储器光掩模版为例,每个芯片单元有效面积0.22～0.28厘米2内含约15万个元件、器件；最细的线宽约2～3微米;套刻精度约±0.5～±1微米;掩模版的分步重复精度、定位精度等都必须控制在±0.1～±0.25微米范围以内。
• ①几何尺寸与表面形貌的检测：如半导体晶片、外延层、介质膜、金属膜,以及多晶硅膜等的厚度,杂质扩散层和离子注入层以及腐蚀沟槽等的深度，双极型晶体管的基区宽度，半导体晶片的直径、平整度、光洁度、表面污染、伤痕等，刻蚀图形的线条长、宽、直径间距、套刻精度、分辨率以及陡直、平滑等。

• 套刻精度的英语：alignment and overlay