少数载流子寿命造句

• 用光电导衰减法测定锗中少数载流子寿命
• 少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。
• 因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。
• 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
• 因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。
• 三是能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。
• 1971年主持完成“光电导半导体少数载流子寿命测试仪”的研制。
• 硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。
• 然而，金在硅中是复合中心，能使硅中的少数载流子寿命大大降低。
• 半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。
• 锗单晶的导电类型、电阻率及少数载流子寿命等电学指标，达到了器件生产的要求。
• 过程，这种复合过程是决定Si、Ge等间接能带结构半导体中少数载流子寿命的基本过程。
• 在微电子技术中，电子辐照即是用高能电子照射半导体来实现控制少数载流子寿命的目的。
• ④位错在半导体中形成的都是深能级,起复合中心作用，将促进载流子复合、减短少数载流子寿命。
• LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国A.S.T.M标准而设计的,用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。
• 从而，半导体中有害杂质和缺陷所造成的复合中心（种类和数量）对于这些半导体少数载流子寿命的影响极大。
• 一般，高能光子不能产生位移损伤；正因为如此，所以在大功率器件中可采用g射线照射来控制少数载流子寿命。
• 这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。
• 对于直接能带半导体（如GaAs），其少数载流子寿命主要决定于直接复合过程，所以这种半导体的少数载流子寿命本来就很短。
• 对于主要是依靠少数载流子输运（扩散为主）来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。