态密度造句

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方法框架下局域态密度的计算
固体理论中德拜态密度的两种推导
可数状态密度相依生灭过程的大偏差
态密度与电导的计算还被推广到两个点缺陷的情况。
铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究
格林函数方法计算态密度的结果表明,单个点缺陷在碳纳米管中引起准束缚态。
计算表明：在一定条件下，禁带中出现了非寻常的态密度。
其次,引入anderson模型和快速收敛的微扰展开方法研究了单个磁性杂质对碳纳米管态密度的影响。
首先,基于紧束缚模型研究了非磁性点缺陷对金属型单壁碳纳米管态密度和电导的影响。
然后逐点计算局域态密度发现,在实空间准束缚态是一个非常局域化的效应,离开缺陷即迅速衰减。
用态密度造句挺难的，這是一个万能造句的方法
自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中。
在( - mno2 、 limn2o4和li2mn2o4三种材料中，都是费米能级周围的态密度最大，表明三种电极材料容易得到或失去电子。
建立界面态密度的指数分布模型，用数值方法较为详细的分析了界面态电荷对n沟mosfet器件阈值，漏电流，跨导和场效应迁移率的影响。
第二章分析了弧形量子线的模式混合，电导抑制，局域态密度，透射相位突变等性质，并将这些性质与理想直量子线进行了对比。
第三章介绍了考虑卷曲效应后的单壁碳纳米管的电子能级结构，并在此基础上研究了单壁碳纳米管的电子态密度，以及管径和螺旋度对其电子结构的影响。
明确指出碳化硅器件的反型层迁移率和实验测定的场效应迁移率不能等同，并给出了以上二者的比值与界面态密度的定量关系。
这些禁带中的态密度是由左右手材料构成的一维光子晶体所特有的，它们可用于制造完全不同于常规滤波器的、频带狭窄的新型滤波器。
( 3 )对于量子态的分类问题曾有人提出通过随机局域幺正变换把任意三粒子量子态密度矩阵转化为一种特殊的密度矩阵_ 3的形式，并利用_ 3这一特殊形式对三粒子量子态进行分类。
摘要推导出了由左右手材料构成的双层结构的转移矩阵，计算了由n个该双层结构周期性排列所形成的一维有限长度光子晶体沿其轴线方向的态密度。
对于ga _ 5p _ 5团簇的最稳定结构，用b3lyp 6 - 31 + g ~ *又进行了优化，计算了态密度，发现其具有半导体的性质，还计算了红外和raman谱以及极化率，超极化率。