提拉法造句

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采用中频感应加热提拉法生长yb : yag晶体。
以浸渍提拉法在不锈钢基板表面施涂膜层，提拉速度10cm min 。
以浸渍提拉法在不锈钢表面施涂膜层，在80下烘干一小时，制得掺银有机硅烷抗菌不锈钢。
本文用提拉法生长出一系列掺铟铌酸锂( in ： linbo _ 3 )晶体，并对晶体进行极化和加工处理。
使用浸渍提拉法或旋转涂敷法,并通过放在乙醇蒸汽中干燥,可在玻璃表面得到均匀的凝胶膜。
以异丁醇铝为前驱物、水为溶剂、硝酸为胶溶剂制备了不同浓度的氧化铝溶胶，进而采用提拉法和旋覆法制备了致密氧化铝膜。
膜厚随沉积电压和沉积时间的增加而增加，但增加速率下降。同时研究了提拉法镀膜中工艺参数对制备氧化铝膜的影响。
本文基于致密氧化铝膜的红外反常色散特性，结合溶胶-凝胶技术，采用浸渍提拉法、旋覆法和电泳沉积工艺，对氧化铝溶胶的性质和致密氧化铝膜的制备工艺进行了研究。
综合分析提拉法、旋覆法和电泳沉积工艺，采用前两种工艺制备的氧化铝膜的致密性优于末者，并且三者中旋覆法最能快捷有效地提高膜厚。
本文主要就纳米tio _ 2薄膜的制备、探索用ecr氮等离子纳米tio _ 2的掺杂改性等开展了如下的工作：本文采用溶胶?凝胶法，以钛酸丁醋做前驱体、无水乙醇做溶剂，水解制备溶胶，然后通过提拉法制备纳米tio _ 2薄膜。
用提拉法造句挺难的，這是一个万能造句的方法
采用多种方法合成了用于晶体生长的yvo _ 4原料，改进了液相合成法中获得yvo _ 4沉淀的方法，使得该方法更为简便，获得的沉淀更加致密；在原料合成的基础上，采用提拉法对来源不同的生长原料进行了生长，并通过对在相同气氛下生长的晶体的紫外透过谱线的对比，指出了该吸收峰的存在与晶体生长方向及有无退火无关，进而提出该吸收峰的存在与合成原料中有无杂质有关。
本文把cdse单晶体的生长、单晶体的成分、单晶体的性能以及单晶体在室温核辐射探测器中表现出来的性能结合起来进行了比较系统的研究；采用垂直无籽晶气相提拉法生长出了电阻率为10 cm量级、尺寸为中10mm 30mm的单晶体；制备出了能量分辨率达10 ( fwhm ) (对~ ( 241 ) am59 . 5kev谱线而言)的cdse室温核辐射探测器，取得了较好的研究结果。
本文采用胶体化学法制备了sno _ 2纳米粒子水溶胶，细致研究了胶溶酸类型、 sn ~ ( 4 + )浓度、胶溶温度、胶溶时间、陈化时间等对纳米粒子性质的影响，并利用浸渍提拉法制备了sno _ 2超微粒子薄膜。
所用的溶胶是以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，乙醇胺为稳定剂反应制得，用浸渍提拉法在基体上镀膜，经烘烤、预烧、退火，最后形成均匀、透明的多晶zno薄膜。