晶格缺陷造句

• 结果表明，压力-热液法制备的纳米氧化铜晶格缺陷少，结构稳定，充放电过程平稳，且持续时间长。
• Ecr - pemocvd法能够在400 - 600的低温下大面积生长gan薄膜，因此减少了晶格缺陷的产生。
• 通过光谱分析和对发光机制的研究，指出在产生荧光辐射过程时晶体中的点缺陷对荧光的吸收以及荧光收集过程中宏观缺陷对荧光的散射是造成晶体光产额减小的原因，通过减小晶格缺陷是提高晶体光产额的有效途径。
• 还进行了mn ~ + 、 c双离子注入，研究了c对样品性质的影响。利用x -射线衍射法和原子力显微镜对样品的晶体结构和表面形貌进行了研究。发现随着退火温度的升高，样品的晶格质量得以恢复；注入表面形成的晶格缺陷逐渐减少。
• 在前人对非金属矿物材料表面改性的基础上，结合环境矿物纤维?坡缕石自身的特点(如：长径比、典型的纳米粒径、大比表面积、发育的晶体生长缺陷和晶格缺陷等) ，通过对坡缕石有机化改性设计正交试验，采用( ch _ 3 ) _ 2choh作为稀释剂，获得了采用wd - 51和ndz - 401对高家洼坡缕石原矿进行有机化改性的最佳工艺参数和工艺条件，分别为： wd - 51的浓度为1 . 6 ( wt ) ，改性温度为120 ，改性时间为60min ； ndz - 401的浓度为2 . 0 ( wt ) ，改性温度为120 ，改性时间为80min 。
• 所有样品均为p型导电类型；发现在650到850温度范围内，随着退火温度的升高，样品的方块载流子浓度呈下降趋势，而载流子迁移率呈上升趋势；这是由于在退火过程中，随着退火温度的升高，有更多的mn参与mnas相的形成，使得以替位受主形式存在的mn减少，并且晶格缺陷得到恢复所致。

• 晶格缺陷的英语：crystal defect
• 晶格缺陷的日语：けっしょうこうしけっかん こうしふかんぜんせい こうしけっかん