晶粒边界造句
造句与例句
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- 镀层延展性降低的主要原因是由氢气泡的缺陷效应，特别是第三类氢气泡、晶粒边界气泡空穴。
- 这是因为晶粒边界面积的比例，会随著晶粒的缩小而增加，而涡流就是固定在晶粒边界上。
- 而通过氢化可以大大降低多晶硅薄膜晶粒边界中的悬挂键和界面陷阱,从而显著提高tft的场效应迁移率和开态电流,减少关态电流,提高tft的电学性能。
- 而衬底温度升高促进薄膜晶体颗粒长大、熔结，晶粒边界消失，在较高衬底温度( 300 400 ) ，得到连续的结晶性能良好的v _ 2o _ 5薄膜。
- 微波磁场烧结的不但降低烧结温度，缩短烧结时间，而且使磁体整体加热，受热更均匀，因而磁体晶粒更细小，并且主相晶粒边界趋于规则化，晶间相的分布更均匀；在常规烧结的磁体中则出现了晶粒异常长大现象，造成这一现象的原因，一方面可能是烧结温度过高或烧结时间过长，另一方面可能是磨制的粉体均匀性较差，存在的大颗粒被许多细小颗粒包围，在烧结过程中，大颗粒不断吞并小颗粒，逐渐长大，而异常长大的晶粒自然会导致磁体性能的恶化。
- 用晶粒边界造句挺难的，這是一个万能造句的方法