栅极晶体管造句

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英特尔对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。
1：32纳米制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。
Penryn的做工精细,采用铬合金高-K与金属栅极晶体管设计,并对酷睿微体系结构进行了增强。
采用高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。
采用了45纳米高-k制造技术(采用铬合金高-K与金属栅极晶体管设计)，并对酷睿微体系结构进行了增强。
Penryn采用了45纳米高-k制造技术(采用铬合金高-K与金属栅极晶体管设计)，并对酷睿微体系结构进行了增强。
Penryn处理器的最大特点在于，采用了45纳米High-K制造技术（采用铬合金High-K与金属栅极晶体管设计），并对酷睿微体系结构进行了增强。
“高-k栅介质+金属栅极晶体管是自上世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体（MOS）晶体管以来，晶体管技术领域里最重大的突破”。
借助新发明的High-K金属栅极晶体管技术，晶体管能够以光速更高效地进行开关，晶体管切换速度提升了20%以上，实现了更高的内核速度，并增加了每个时钟周期的指令数。
第三版的图书新增了以下内容：数字“面板安装”的控制器、差动齿轮、绝缘栅极晶体管（IGBT）、超声波接近传感器、电感式接近传感器、超声波流量传感器和串级控制。
用栅极晶体管造句挺难的，這是一个万能造句的方法
借助新发明的高-k金属栅极晶体管技术，这8.2亿个晶体管能够以光速更高效地进行开关，晶体管切换速度提升了20%以上，实现了更高的内核速度，并增加了每个时钟周期的指令数。
采用高K金属栅极晶体管技术的45nm的确代表了半导体工艺的最高水平，英特尔已经全面转型进入了高K 45nm的工艺，即使是目前入门级的E2210由于采用新技术科技，其性能和功耗给人留下了深刻印象。
据Intel介绍，32nm工艺将采用第二代High-K和金属栅极晶体管技术，九个金属铜和Low-K互联层，其中的关键层会在Intel历史上首次应用沉浸式光刻技术(AMD 45nm已使用)，无铅无卤素，核心面积可比45nm减小大约70％。
32纳米制程技术是英特尔已经推出并即将大规模投入量产的新的处理器制造技术，它是在已经大获成功的45纳米制程技术的基础之上，采用第二代高k+金属栅极晶体管以及第四代应变硅技术，为下一代英特尔Nehalem微体系架构的32纳米版本-Westmere处理器的高性能表现奠定基础。