氧化层的造句

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铝及铝合金的阳极氧化.铝的阳极氧化层的通用规范
为超薄栅氧化层的经时击穿建立了一个新的物理模型。
铝和铝合金.阳极化.第5部分:用导纳测量对密封阳极氧化层的质量评估
热空穴注入的实验结果表明超薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定。
铝和铝合金.阳极化.第14部分:用目视测定阳极氧化层的图像清晰度.图表比例尺法
首次提出了超薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用导致的新观点。
铝和铝合金.阳极化.第10部分:使用喷砂试验装置对阳极氧化层的平均比耐磨性能的测定
根据现有数据认为退火过后氧化层的密度变小，可能是氧化层内部间隙式杂质扩散出来的结果。
由于其氧化层的的质量还不能达到工业生产的要求，目前关于sic表面的氧化层质量以及界面态特性仍然需要大量研究。
根据镀层氧化层的成分、形貌，就ni - fe合金镀层的高温氧化机理作了一定的探讨。
用氧化层的造句挺难的，這是一个万能造句的方法
介绍了国外推出的magoxid - coat ， tagnite和anomag三种商品化阳极氧化层的性能，并对照我国情况提出了一些看法。
铝和铝合金.阳极化.第11部分:以20度45度60度或85度角度测定阳极氧化层的镜面反射率和镜面光泽
在通常的工作条件下，氧化层的经时击穿和热载流子效应总是同时存在的。
结果表明， mg和n _ 2对渗透的顺利进行是必需的，渗透时的升温速度对于较大样品的制备很关键，渗透过程对环境、杂质、氧化层的影响很敏感。
此外，本文分别在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性，研究了tddb的可靠性表征方法，对相关击穿电荷q _ ( bd )进行了实验测试和分析。
量子点中的极化子效应是当前量子点研究中的重要问题，其特征急需了解.文章在综述了量子点中限域极化子的概念、可能性和能量随尺寸的变化规律之后，提出了界面限域极化子模型，该模型首次指明本征声子和外来声子都可能对界面限域极化子的形成有贡献.作者利用此模型分析了多孔硅体系中的光谱特征，证实了表面覆有氧化层的纳米硅的行为十分符合量子限域极化子的特征.这一极化子模型与单个纳米硅结构的发光谱十分一致，此结果对最终揭示多孔硅发光机理有重要意义
文摘:基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实验显示,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系.这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命.与常规的氧化层击穿实验相比,基于缺陷产生时间常数的预测更快、更有效
主要内容为: 1 .通过理论分析和软件模拟,给出了sigehcmos的优化设计原则,主要包括:氧化层的厚度、各外延层的厚度和掺杂以及sige虚拟衬底的ge组分,获得了较为匹配的pmosfet和nmosfet ,并分别给出了其相关参数。
Sige - simox工艺方面：首次采用硅( 100 )衬底上直接外延的100nm厚sige的样品中注入高剂量的o离子，通过退火处理成功制备了sige - oi新结构，即sige - simox工艺，证实了以45kev注入3 10 ~ ( 17 ) 7cm ~ ( - 2 )剂量的氧离子，随后在氧化层的保护下经1250 ， ar + 5 o _ 2气氛的高温退火( 5小时)过程，可以制备出sige - oi新型材料；实验中观察到退火过程中的ge损失现象，分析了其原因是ge挥发( ge通过表面氧化层以geo挥发性物质的形式进入退火气氛)和ge扩散( ge穿过离子注入形成的氧化埋层而进入si衬底中) ，其中ge扩散是主要原因；根据实验结果及实验中出现的问题，对下一步工作提出两个改进的方案：一是通过在si衬底中注入适量h ~ + / he ~ +形成纳米孔层来阻断ge扩散通路，二是可以通过控制表面氧化来调节安止额士淤丈捞要表面sige层中的ge组分，从而部分解决sige
本文针对这种情况，首次进行了以下几方面的研究：首次采用电化学法研究了锆膜基材表面氧化层的去除技术，制得去除了表面氧化膜的锆基材膜，获得了锆膜基材表面氧化层的去除工艺。